[發(fā)明專利]一種具有納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)防偽標(biāo)識(shí)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011332570.2 | 申請日: | 2020-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN112590419A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘安練;李梓維;黃明 | 申請(專利權(quán))人: | 湖南大學(xué) |
| 主分類號: | B42D25/328 | 分類號: | B42D25/328;B42D25/405;B42D25/41 |
| 代理公司: | 長沙市和協(xié)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 43115 | 代理人: | 熊曉妹 |
| 地址: | 410000 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 納米 復(fù)合 結(jié)構(gòu) 光學(xué) 防偽 標(biāo)識(shí) | ||
1.一種具有納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)防偽標(biāo)識(shí),其特征在于,采用如下方法制得,步驟一:制備納米復(fù)合結(jié)構(gòu),所述納米復(fù)合結(jié)構(gòu)包括襯底以及襯底上方的金納米結(jié)構(gòu)層,襯底包括單晶硅片或金屬氧化物制成,步驟二:納米復(fù)合結(jié)構(gòu)陣列組合成任意圖形;步驟三:利用白光照射所述圖形,對光進(jìn)行明場與暗場區(qū)分,從而顯示出不同的明暗場圖案而實(shí)現(xiàn)光學(xué)防偽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)防偽標(biāo)識(shí),其特征在于,所述金納米結(jié)構(gòu)層為螺旋結(jié)構(gòu)或圓柱的立體結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)防偽標(biāo)識(shí),其特征在于,所述螺旋結(jié)構(gòu)是單匝的阿基米德螺旋光柵結(jié)構(gòu),且分為順時(shí)針或逆時(shí)針兩種,螺旋層的螺旋起始半徑為100nm,光柵寬度為100nm,光柵間距為200nm,硅片為100或111晶向單面拋光本征單晶硅片;圖形根據(jù)多個(gè)順時(shí)針螺旋單元和逆時(shí)針螺旋單元根據(jù)預(yù)先的設(shè)計(jì)組成,相鄰螺旋單元之間的間距為1000nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)防偽標(biāo)識(shí),其特征在于,所述金屬氧化物為氧化鋁、氧化鎂、氧化鈣或氧化鉀中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的具有納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)防偽標(biāo)識(shí),其特征在于,所述納米復(fù)合結(jié)構(gòu)通過以下方法制得,首先選取硅片或金屬氧化物作為襯底,利用電子束曝光系統(tǒng)將設(shè)計(jì)優(yōu)化的納米復(fù)合結(jié)構(gòu),通過納米圖案生成軟件,曝光在事先準(zhǔn)備好的硅片上制得。
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