[發(fā)明專利]電磁活塞和磁流變減振器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011331801.8
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112324837B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁冠群;李寧斐;上官鄭偉;危銀濤;杜永昌;呂靖成;陳文武;童汝亭
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號: F16F9/32
• 分類號: F16F9/32;F16F9/53
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 周琦

1.一種電磁活塞，其特征在于，包括：

鐵芯活塞體，所述鐵芯活塞體的外壁上套設(shè)有線圈；

活塞外套，套設(shè)于所述鐵芯活塞體的外部且與所述鐵芯活塞體的外壁具有作為阻尼通道的間隙；

磁路換向環(huán)組，包括第一磁路換向環(huán)和第二磁路換向環(huán)，所述第一磁路換向環(huán)套設(shè)于所述線圈的外壁上，所述第二磁路換向環(huán)嵌套于所述活塞外套的內(nèi)壁上且位于所述第一磁路換向環(huán)的對應(yīng)位置；

且所述活塞外套與所述鐵芯活塞體的磁導(dǎo)率高于所述磁路換向環(huán)組的磁導(dǎo)率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁活塞，其特征在于，所述鐵芯活塞體的兩端分別設(shè)有固定壓板，所述固定壓板與所述活塞外套的內(nèi)壁相連，且所述壓板上設(shè)有多個通孔，所述通孔與所述間隙相連通。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁活塞，其特征在于，所述固定壓板的外徑大于所述鐵芯活塞體的外徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁活塞，其特征在于，所述活塞外套與所述鐵芯活塞體采用相同的高磁導(dǎo)率材料，相對磁導(dǎo)率1000；所述磁路換向環(huán)組采用低磁導(dǎo)率材料，相對磁導(dǎo)率1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁活塞，其特征在于，還包括渦流抑制環(huán)，所述渦流抑制環(huán)嵌套于所述鐵芯活塞體的外壁上且位于所述線圈的兩側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁活塞，其特征在于，所述鐵芯活塞體的外壁向內(nèi)凹陷，構(gòu)造出臺階腔，所述臺階腔包括第一臺階腔和第二臺階腔，所述線圈設(shè)置于所述第一臺階腔內(nèi)且延伸至所述第二臺階腔的開口處，所述渦流抑制環(huán)設(shè)置于所述第二臺階腔內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁活塞，其特征在于，兩個所述渦流抑制環(huán)的延伸部沿著所述線圈的外壁相向延伸，構(gòu)造出限制所述第一磁路換向環(huán)的容納腔。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁活塞，其特征在于，所述渦流抑制環(huán)采用高磁導(dǎo)率高電阻率材料，相對磁導(dǎo)率1000，電阻率1×10^-6Ωm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的電磁活塞，其特征在于，還包括永磁體，所述永磁體套設(shè)于所述鐵芯活塞體的外壁上且位于所述線圈的內(nèi)環(huán)處，所述永磁體產(chǎn)生的磁場方向與所述線圈產(chǎn)生的磁場方向相反。

10.一種磁流變減振器，其特征在于，包括缸體、活塞桿和權(quán)利要求1至9中任一項所述的電磁活塞，所述電磁活塞套設(shè)于所述缸體的內(nèi)壁上，所述活塞桿的一端延伸至所述缸體內(nèi)與所述電磁活塞相連，且所述活塞桿的中空腔室內(nèi)設(shè)有導(dǎo)線，所述導(dǎo)線與所述線圈相連。