[發明專利]非易失性存儲器的試錯表的生成方法及裝置在審
| 申請號: | 202011331608.4 | 申請日: | 2020-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN112331254A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 程威;占志剛 | 申請(專利權)人: | 北京澤石科技有限公司;澤石科技(武漢)有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/42 | 分類號: | G11C29/42;G06K9/62 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 董文倩 |
| 地址: | 100085 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性存儲器 試錯表 生成 方法 裝置 | ||
本申請公開了一種非易失性存儲器的試錯表的生成方法及裝置。其中,該方法包括:獲取導致非易失性存儲器的讀數據出錯的環境變量;確定環境變量的定量描述數值,定量描述數值用于通過精確的數據描述環境變量;分別在不同的環境變量的定量描述數值下,讀取非易失性存儲器的數據;依據從非易失性存儲器讀取的數據生成非易失性存儲器的試錯表。本申請解決了當讀Nand flash出現UECC時,利用nand flash廠家提供的固定試錯表(retry table)糾正讀出錯的數據,導致糾錯效率較低,而且廠家提供的固定試錯表覆蓋的使用場景較少的技術問題。
技術領域
本申請涉及存儲設備領域,具體而言,涉及一種非易失性存儲器的試錯表的生成方法及裝置。
背景技術
當讀Nand flash出現UECC(Uncorrectable Error Checking and Correcting)時,第一步就是用試錯表(retry table)糾正,通過嘗試不同的retry table值來糾正讀出錯的數據。
現有的重試方式是查詢nand flash廠家提供的固定retry table,依次使用retrytable提供的條目嘗試讀取nand flash。如果數據糾回來就停止查表;如果數據糾正不過來會一直查retry table直到把整個表查詢完。
現有的重試方式主要存在以下缺點:
1)因為要逐條查詢retry table,當糾正不回來會嘗試表中的下一個條目,這樣勢必會增加試錯的次數,增加處理寫命令的延遲,這樣固態硬盤(Solid State Disk,SSD)處理數據就會變得異常緩慢,給客戶帶來糟糕的用戶體驗。
2)nand flash廠家提供的retry table只是一些特定環境變量下的retry值,而SSD的使用場景千變萬化,廠家提供的retry table有很多場景都覆蓋不到,這樣可能把表項都試完數據也糾正不回來,結果白白浪費了很多處理命令的時間。
針對上述的問題,目前尚未提出有效的解決方案。
發明內容
本申請實施例提供了一種非易失性存儲器的試錯表的生成方法及裝置,以至少解決當讀Nand flash出現UECC時,利用nand flash廠家提供的固定試錯表(retry table)糾正讀出錯的數據,導致糾錯效率較低,而且廠家提供的固定試錯表覆蓋的使用場景較少的技術問題。
根據本申請實施例的一個方面,提供了一種非易失性存儲器的試錯表的生成方法,包括:獲取導致非易失性存儲器的讀數據出錯的環境變量;確定環境變量的定量描述數值,定量描述數值用于通過精確的數據描述環境變量;分別在不同的環境變量的定量描述數值下,讀取非易失性存儲器的數據;依據從非易失性存儲器讀取的數據生成非易失性存儲器的試錯表。
可選地,環境變量至少包括:非易失性存儲器使用環境的外界溫度、非易失性存儲器的數據保存時間是否達到預設期限、非易失性存儲器的擦寫次數、從非易失性存儲器讀取的數據的當前溫度、非易失性存儲器的字線層數以及非易失性存儲器的電壓狀態。
可選地,確定環境變量的定量描述數值,包括:按照第一預設間隔區間將非易失性存儲器使用溫度范圍劃分為多個溫度區間,在每個溫度區間中分別為非易失性存儲器使用環境的外界溫度和從非易失性存儲器讀取的數據的當前溫度設定一個測量值,將測量值作為非易失性存儲器使用環境的外界溫度和從非易失性存儲器讀取的數據的當前溫度的定量描述數值;按照第二預設間隔區間將非易失性存儲器的最大擦寫次數劃分為多個擦寫次數區間,在每個擦寫次數區間中統計一個非易失性存儲器的擦寫次數的定量描述數值;按照第三預設間隔區間將非易失性存儲器的字線層數劃分為多個字線層數區間,在每個字線層數區間中統計一個非易失性存儲器的字線層數的定量描述數值;用真和假兩個布爾類型的值作為非易失性存儲器的數據保存時間是否達到預設期限的定量描述數值;設定預設數量需要校準的電壓點作為非易失性存儲器的電壓狀態的定量描述數值。
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