[發(fā)明專利]一種多元層狀加硬涂層生長工藝

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• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112458417A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭長明
• 申請（專利權(quán)）人: 創(chuàng)隆實業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06
• 代理公司: 北京權(quán)智天下知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11638
• 代理人: 王新愛

1.一種多元層狀加硬涂層生長工藝，其特征在于，所述多元層狀加硬涂層生長工藝包括以下步驟：

(1)將基材在自動化清洗線上完成液態(tài)清洗；

(2)將基材放置于磁控濺射鍍膜機內(nèi)預(yù)抽真空；

(3)在磁控濺射鍍膜機內(nèi)進行輝光清洗；

(4)在磁控濺射鍍膜機內(nèi)進行膜層沉積，所述膜層沉積中包括沉積致硬層，致硬層的沉積中使用三種或三種以上靶材，獲得三元或三元以上金屬的碳化物或氮化物為單層結(jié)構(gòu)堆疊形成的多層結(jié)構(gòu)；

(5)冷卻出爐。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元層狀加硬涂層生長工藝，其特征在于，所述致硬層的三種或三種以上靶材選自鉻靶、鈦靶、鎢靶、硅靶、鋁靶或合金靶中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元層狀加硬涂層生長工藝，其特征在于，所述致硬層以氮氣為反應(yīng)氣體，所述三種或三種以上靶材為硅靶、鉻靶和鈦靶，以硅的氮化物、鉻的氮化物和鈦的氮化物這三種單層結(jié)構(gòu)依次沉積形成多層結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元層狀加硬涂層生長工藝，其特征在于，所述致硬層以碳?xì)錃怏w為反應(yīng)氣體，所述三種或三種以上靶材為硅靶、鉻靶和鈦靶，以硅的碳化物、鉻的碳化物和鈦的碳化物這三種單層結(jié)構(gòu)依次沉積形成多層結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元層狀加硬涂層生長工藝，其特征在于，所述致硬層以氮氣為反應(yīng)氣體，所述三種或三種以上靶材為鎢靶、鉻靶和鈦靶，以鎢的氮化物、鉻的氮化物和鈦的氮化物這三種單層結(jié)構(gòu)依次沉積形成多層結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元層狀加硬涂層生長工藝，其特征在于，所述致硬層以碳?xì)錃怏w為反應(yīng)氣體，所述三種或三種以上靶材為鎢靶、鉻靶和鈦靶，以鎢的碳化物、鉻的碳化物和鈦的碳化物這三種單層結(jié)構(gòu)依次沉積形成多層結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元層狀加硬涂層生長工藝，其特征在于，所述致硬層以氮氣為反應(yīng)氣體，所述三種或三種以上靶材為鋁靶、鉻靶和鈦靶，以鋁的氮化物、鉻的氮化物和鈦的氮化物這三種單層結(jié)構(gòu)依次沉積形成多層結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元層狀加硬涂層生長工藝，其特征在于，所述致硬層以碳?xì)錃怏w為反應(yīng)氣體，所述三種或三種以上靶材為鋁靶、鉻靶和鈦靶，以鋁的碳化物、鉻的碳化物和鈦的碳化物這三種單層結(jié)構(gòu)依次沉積形成多層結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元層狀加硬涂層生長工藝，其特征在于，所述膜層沉積的參數(shù)如下：

底層：沉積時間為10分鐘，真空度為0.3Pa，氣體采用氬氣，氬氣的體積流量為400sccm，偏壓為100V，占空比為50％，采用單一靶材(Cr或Ti)，電流10A～20A；

致硬層：時間為60分，真空度為0.32Pa，濺射氣體采用氬氣，流量為400sccm，反應(yīng)氣體為氮氣或碳?xì)錃怏w，流量100sccm～300sccm，采用三種或三種以上靶材，電流10A～50A；

顏色層：時間為30分鐘左右，真空度為0.4Pa，濺射氣體為氬氣，流量為400sccm，靶材采用單一靶材，電流為15A～30A。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元層狀加硬涂層生長工藝，其特征在于，所述顏色層的單一靶材為鈦靶、鉻靶或鎢靶。