[發明專利]納米孿晶銅部件

在審

• 申請號: 202011319862.2
• 申請日: 2020-11-23
• 公開（公告）號: CN112941586A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 李愷淳;周恒正;J·A·尤爾科;郭偉民;Z·D·范伯格;D·C·韋格曼;E·S·約爾;H·伊斯梅爾麗
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: C25D7/00
• 分類號: C25D7/00;C25D5/18;C25D3/38;C25D3/46;C25D3/56;H05K3/18;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M4/66;H01M10/0525
• 代理公司: 北京市漢坤律師事務所 11602
• 代理人: 魏小薇;吳麗麗

1.一種形成部件的方法，包括：

將包括晶粒的金屬材料沉積到載體上至大于50微米的厚度；

至少90％的所述晶粒包括納米孿晶邊界。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬材料包括銅或銀中的至少一者。

3.根據權利要求1所述的方法，其中沉積所述金屬材料包括電化學沉積所述金屬材料。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述載體包括傳導性材料。

5.根據權利要求3所述的方法，其中所述載體包括金屬轉筒。

6.根據權利要求3所述的方法，其中所述載體包括傳導性芯軸，所述傳導性芯軸具有與所述部件的形狀對應的形狀。

7.根據權利要求3所述的方法，其中電化學沉積所述金屬材料包括驅動直流電以大于10安培/平方分米(ASD)的電流密度通過所述載體。

8.根據權利要求3所述的方法，其中電化學沉積所述金屬材料包括驅動脈沖電流以大于50ASD的電流密度通過所述載體。

9.根據權利要求8所述的方法，其中：

所述脈沖電流的脈沖具有小于5毫秒(ms)的脈沖持續時間；并且

在每個脈沖之間不驅動電流達至少15ms的暫停持續時間。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述脈沖持續時間在整個所述電化學沉積期間變化。

11.根據權利要求3所述的方法，其中所述載體至少部分地浸入電解質溶液中，所述電解質溶液包括所述金屬材料的陽離子和抑制劑。

12.一種庫存材料，包括：

金屬材料，所述金屬材料包括晶粒并且具有大于50微米的厚度；以及

至少90％的所述晶粒包括納米孿晶邊界。

13.根據權利要求12所述的庫存材料，其中所述金屬材料包括長度為至少2cm的連續片材。

14.根據權利要求12所述的庫存材料，其中所述金屬材料包括銅。

15.根據權利要求12所述的庫存材料，其中所述金屬材料包括銀。

16.根據權利要求12所述的庫存材料，其中所述金屬材料包括銅和銀的合金。

17.根據權利要求12所述的庫存材料，其中所述晶粒在納米孿晶邊界之間具有小于200納米(nm)的平均間距。

18.根據權利要求12所述的庫存材料，其中至少95％的所述晶粒包括納米孿晶邊界。

19.根據權利要求12所述的庫存材料，其中所述厚度大于100微米。

20.一種電子設備，包括：

傳導性部件，所述傳導性部件包括金屬材料，所述金屬材料包括晶粒，并且所述金屬材料具有大于50微米的厚度；以及

至少90％的所述晶粒包括納米孿晶邊界。

21.根據權利要求20所述的電子設備，其中所述傳導性部件是導電部件。

22.根據權利要求21所述的電子設備，其中所述導電部件包括充電插座。

23.根據權利要求21所述的電子設備，其中所述導電部件包括位于兩個電子部件之間的電連接器。