[發(fā)明專利]一種消落帶面源污染防控人工濕地系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011318077.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112479496B | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉紀(jì)根;李昊;孫寶洋;任斐鵬;程冬兵;邱佩;李建明;張長偉;張文杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長江水利委員會(huì)長江科學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | C02F9/14 | 分類號(hào): | C02F9/14;C02F101/16;C02F101/10 |
| 代理公司: | 武漢楚天專利事務(wù)所 42113 | 代理人: | 孔敏 |
| 地址: | 430010 *** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 消落帶面源 污染 人工 濕地 系統(tǒng) | ||
1.一種消落帶面源污染防控人工濕地系統(tǒng),其特征在于:自下而上包括防滲夯實(shí)層、吸附填料層、底泥種植層、水流分布調(diào)節(jié)組件;
所述防滲夯實(shí)層位于濕地最底部,通過將底部泥土夯實(shí)得到;
所述吸附填料層位于防滲夯實(shí)層上方,由具有較大比表面積的無機(jī)填料組成,所述吸附填料層中添加有厭氧微生物,所述吸附填料層中埋設(shè)有供氧管路,以提供厭氧微生物代謝所需要的氧氣,防滲夯實(shí)層上部、吸附填料層底部設(shè)置若干出水管;
所述底泥種植層包括底泥層,底泥層下部鋪設(shè)分離篩網(wǎng);
所述水流分布調(diào)控組件用于控制水體流速,使水流均勻分布且增加在濕地的停留時(shí)間;
所述厭氧微生物為厭氧氨氧化微生物或反硝化微生物;
所述水流分布調(diào)控組件包括擋流板、溢流堰以及模塊化植物組件;
所述溢流堰位于出水側(cè),由夯實(shí)的土壤或綠化混凝土組成;
所述擋流板位于濕地中間,由相互間隔的兩塊擋板組成,一側(cè)連接進(jìn)水端,另一側(cè)連接溢流堰,面源污染來水的進(jìn)水口位于兩擋板中間,所述擋流板上部與溢流堰平齊,下部中空距離底泥種植層上部一定距離;
所述模塊化植物組件為底泥層上模塊化種植適合于消落帶地區(qū)的耐水淹植物。
2.如權(quán)利要求1所述的消落帶面源污染防控人工濕地系統(tǒng),其特征在于:所述吸附填料層厚度為5cm-30cm。
3.如權(quán)利要求1所述的消落帶面源污染防控人工濕地系統(tǒng),其特征在于:所述出水管上設(shè)置有閥門,以根據(jù)入水情況調(diào)節(jié)出水流量。
4.如權(quán)利要求1所述的消落帶面源污染防控人工濕地系統(tǒng),其特征在于:所述底泥層厚度為20cm-30cm。
5.如權(quán)利要求1所述的消落帶面源污染防控人工濕地系統(tǒng),其特征在于:所述耐水淹植物包括美人蕉、黃昌蒲、水蔥、茭白、藕中的一種或幾種的混合。
6.如權(quán)利要求5所述的消落帶面源污染防控人工濕地系統(tǒng),其特征在于:所述擋流板的兩塊擋板相距30cm-50cm,擋流板下部距離底泥種植層上部3cm-5cm。
7.如權(quán)利要求1所述的消落帶面源污染防控人工濕地系統(tǒng),其特征在于:所述溢流堰頂部種植耐水淹植物。
8.如權(quán)利要求1所述的消落帶面源污染防控人工濕地系統(tǒng),其特征在于:所述溢流堰外側(cè)底部,即下層濕地上端設(shè)置防濺集水槽,所述防濺集水槽用以避免濺射和收集溢流來水。
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