[發(fā)明專利]顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011318074.1 | 申請日: | 2020-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN112542494A | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉昱辰;魏麗真;陳慧修 | 申請(專利權)人: | 創(chuàng)王光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G02B5/02;G02B5/30;G02B1/118 |
| 代理公司: | 北京天馳君泰律師事務所 11592 | 代理人: | 孟銳 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
1.一種顯示面板,包括:
顯示元件,其包括多個像素;
導光結(jié)構,其位于所述像素之間,以將自所述像素發(fā)出的光束導向顯示表面;
吸光層,其位于所述顯示元件上方;
抗反射結(jié)構,其位于所述顯示元件的所述像素上方,其中所述吸光層在所述抗反射結(jié)構與所述顯示元件之間,并且所述抗反射結(jié)構包括:
光敏配向?qū)樱湮挥谒鑫鈱由戏剑渲兴龉饷襞湎驅(qū)訉τ谝徊ㄩL范圍內(nèi)的硬化光是敏感的,并且可被所述波長范圍內(nèi)的所述硬化光硬化,并且所述吸光層經(jīng)配置以吸收穿過所述光敏配向?qū)拥乃鲇不猓?/p>
液晶圓形偏光片,其位于所述光敏配向?qū)由戏剑渲兴鲆壕A形偏光片包括由所述光敏配向?qū)优帕械亩鄠€液晶分子;以及
線形偏光片,其位于所述液晶圓形偏光片上方;以及
覆蓋層,其位于所述抗反射結(jié)構上方。
2.如權利要求1的顯示面板,其中自所述像素發(fā)出的橫向光束由所述導光結(jié)構朝所述顯示表面重新導向。
3.如權利要求2的顯示面板,其中所述導光結(jié)構包括像素定義層和反射膜,所述反射膜位于所述像素定義層面對所述像素的表面上,以將自所述像素發(fā)出的所述橫向光束反射到所述顯示表面。
4.如權利要求2的顯示面板,其中所述導光結(jié)構的折射率小于所述像素的折射率,并且自所述像素發(fā)出的所述橫向光束由全內(nèi)反射重新導向至所述顯示表面。
5.如權利要求4的顯示面板,其中所述導光結(jié)構包括像素定義層。
6.如權利要求2的顯示面板,其中所述導光結(jié)構包括像素定義層和多個散射粒子,所述粒子分散在所述像素定義層內(nèi),以將自所述像素發(fā)出的所述橫向光束散射到所述顯示表面。
7.一種顯示面板,包括:
顯示元件,其包括多個像素;
導光結(jié)構,其用于實質(zhì)上將自所述像素發(fā)出的橫向光束朝向顯示表面散射;
抗反射結(jié)構,其位于所述顯示元件的所述像素上方;
覆蓋層,其位于所述抗反射結(jié)構上方;以及
至少一抗反射層,其位于所述顯示元件與所述覆蓋層之間,其中所述抗反射層包括結(jié)構層,其包含多個突出結(jié)構,以及包括光學層,其與所述結(jié)構層接觸,所述光學層的表面與所述突出結(jié)構嵌合,并且所述光學層的折射率小于所述結(jié)構層的折射率。
8.如權利要求7的顯示面板,另包括像素定義層。
9.如權利要求8的顯示面板,其中所述導光結(jié)構包括分散在所述像素定義層內(nèi)的多個散射粒子。
10.如權利要求9的顯示面板,其中所述散射粒子包括金屬氧化物粒子。
11.如權利要求8的顯示面板,其中所述導光結(jié)構包括貼附至所述像素定義層面向所述像素的表面之反射膜。
12.如權利要求7的顯示面板,其中所述導光結(jié)構的折射率小于所述像素的折射率,并且自所述像素發(fā)出的所述橫向光束由所述導光結(jié)構反射而未進入所述導光結(jié)構。
13.一種顯示面板,包括:
顯示元件,其包括多個像素;
導光結(jié)構,其可包括用于散射自所述像素發(fā)出的光束的多個散射粒子;
抗反射結(jié)構,其位于所述顯示元件的所述像素上方;以及
覆蓋層,其位于所述抗反射結(jié)構上方。
14.如權利要求13的顯示面板,其中所述像素每一者都包括多個層,包含:
陽極;
第一載體層;
發(fā)光層;
第二載體層;以及
陰極。
15.如權利要求14的顯示面板,其中所述導光結(jié)構和所述多個層彼此堆疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





