[發明專利]一種數據處理系統及方法

有效

• 申請號: 202011310254.5
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112415862B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 張雷
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 楊麗爽

本發明提供一種數據處理系統及方法，用于處理第一光學鄰近效應校正任務，第一光學鄰近效應校正任務包括：第一子任務和第二子任務，系統包括：第一處理單元和第二處理單元。第一處理單元用于處理第一子任務，第二處理單元用于處理第二子任務。在接收到第二光學鄰近效應校正任務且第二光學鄰近效應校正任務的優先級大于第一光學鄰近效應校正任務的優先級時，第一處理單元停止處理第一子任務，而處理第二光學鄰近效應校正任務。在第一處理單元停止處理第一子任務時，第二處理單元處理第二子任務和第一子任務未經處理的部分。在接收到優先級較高的任務時，優先級較高的校正任務和優先級較低的校正任務能夠被同時處理，節省光學鄰近效應校正時間。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種數據處理系統及方法。

背景技術

光刻技術是半導體制作技術中至關重要的一項技術，能夠實現將圖形從掩膜板中轉移到硅片表面，形成符合設計要求的半導體產品。隨著設計尺寸的不斷縮小，設計尺寸已經接近或者小于光刻過程中使用的光波波長，光的衍射效應和干涉效應變得越來越明顯，導致實際形成的光刻圖案相對于掩膜板上的圖案產生嚴重畸變，最終在硅片上經過光刻形成的實際圖形變得和設計圖形不同，這種現象稱為光學鄰近效應(Optical ProximityEffect，OPE)。

為了減小光學鄰近效應引起的光刻圖形的畸變，常用方法是光學鄰近效應校正(optical proximity correction，OPC)。光學鄰近效應校正是一種光刻增強技術，主要在半導體器件的生產過程中使用，目的是為了保證生產過程中設計的圖形的邊緣得到完整的刻蝕，盡可能的使硅片上生產出的電路與原始的電路一致。

目前光學鄰近效應校正需要在校正之前限定處理單元的數量，但是由于處理單元的資源有限，使得在校正優先級較低的任務時如果遇到優先級較高的任務，通常會停止處理優先級較低的任務，而去處理優先級較高的任務。當優先級較高的任務處理完成后，重新處理優先級較低的任務，導致耗費較多的時間。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種數據處理系統及方法，節省光學鄰近效應校正時間。

為實現上述目的，本發明有如下技術方案：

一種數據處理系統，用于處理第一光學鄰近效應校正任務，所述第一光學鄰近效應校正任務包括：第一子任務和第二子任務，所述系統包括：第一處理單元和第二處理單元；

所述第一處理單元用于處理所述第一子任務，所述第二處理單元用于處理所述第二子任務；

所述第一處理單元還用于：在接收到第二光學鄰近效應校正任務且所述第二光學鄰近效應校正任務的優先級大于所述第一光學鄰近效應校正任務的優先級時，停止處理所述第一子任務，而處理所述第二光學鄰近效應校正任務；

所述第二處理單元還用于：在所述第一處理單元停止處理所述第一子任務時，處理所述第二子任務和所述第一子任務未經處理的部分。

可選的，所述第一處理單元，還用于：在完成所述第二光學鄰近效應校正任務時，若所述第二處理單元未完成所述第一光學鄰近效應校正任務，則協同所述第二處理單元處理所述第一光學鄰近效應校正任務未經處理的部分。

可選的，還包括：控制器，

所述控制器用于，在所述第一處理單元完成所述第二光學鄰近效應校正任務時，將所述第一光學鄰近效應校正任務未經處理的部分分為第三子任務和第四子任務，以使所述第一處理單元處理所述第三子任務，所述第二處理單元處理所述第四子任務。

可選的，所述第一處理單元的數量是預先設定的或者是由所述控制器根據所述第二光學鄰近效應校正任務確定的。

可選的，所述第一處理單元和所述第二處理單元的總數量根據所述第一光學鄰近效應校正任務中光刻圖形的特征尺寸和圖案密度確定。