[發明專利]一種太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 202011308567.7
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112447863B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 賈松燕;何悅;任永偉
• 申請（專利權）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括設有氧化鋁膜的晶體硅片，以及位于所述設有氧化鋁膜的晶體硅片的相對兩面上的正面減反膜結構和背面鈍化膜結構；所述氧化鋁膜位于所述晶體硅片表面；

所述正面減反膜結構的折射率大于或等于2.14；所述氧化鋁膜的厚度為2.5～4nm；所述正面減反膜結構包括依次層疊SiO₂膜、SiN膜和Si_xO_yN_z膜；所述SiO₂膜位于所述設有氧化鋁膜的晶體硅片的制絨面的表面；所述SiO₂膜的厚度為2～5nm；所述SiN膜的厚度為50～60nm；所述SiN膜的折射率大于2.2；所述Si_xO_yN_z膜的厚度為10～20nm；所述Si_xO_yN_z膜的折射率小于2.2。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述背面鈍化膜結構的厚度大于或等于120nm。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述背面鈍化膜結構包括Si_xO_yN_z鈍化膜和SiN保護膜。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述Si_xO_yN_z鈍化膜位于所述設有氧化鋁膜的晶體硅片的制絨面的相對面的表面。

5.根據權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述Si_xO_yN_z鈍化膜的厚度為10～20nm。

6.根據權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述SiN保護膜的厚度為110～140nm。

7.根據權利要求1-6任一項所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括制絨、擴散、激光摻雜、刻蝕背拋、氧化退火、雙面制備氧化鋁、正面鍍膜、背面鍍膜、激光開窗、絲網印刷及測試，得到所述太陽能電池；所述正面鍍膜工序制備正面減反膜結構，所述背面鍍膜工序制備背面鈍化膜結構；

所述制絨的方法包括堿制絨和/或酸制絨；所述堿制絨包括將氫氧化鈉溶液和制絨添加劑進行混合，形成混合溶液進行制絨；所述堿制絨中的混合溶液的質量濃度小于2％；所述酸制絨包括將硝酸溶液和氫氟酸溶液進行混合，得到混合溶液進行制絨；所述酸制絨中的硝酸和氫氟酸的體積比為1:1～5:1；所述擴散的制備方法包括將制絨后的硅片在擴散爐中進行擴散；所述擴散爐中的溫度為800～900℃；所述擴散過程中的方阻為100～150Ω/□；所述刻蝕背拋的制備方法包括用酸腐蝕法和/或堿拋法腐蝕背表面的擴散后P-N結，并在背表面形成平滑的拋光面，用酸洗去正面磷硅玻璃；所述激光摻雜的制備方法包括將擴散后的產品按印刷圖形用激光進行重摻雜；所述重摻雜的方阻為40～80Ω/□。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述氧化退火的制備方法包括將刻蝕背拋后的產品進行氧化退火。

9.根據權利要求8所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述氧化退火的溫度為700～800℃。

10.根據權利要求8所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述氧化退火的時間為20～40min。

11.根據權利要求8所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述氧化退火的時間為10～30min。

12.根據權利要求8所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述氧化的氣氛為氧氣氣氛。