[發明專利]半導體結構的制造方法及半導體結構

在審

• 申請號: 202011305915.5
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN114520195A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 劉志拯
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成依次層疊的第一隔離層、第一穩定層、第二隔離層及第二穩定層；

形成貫穿所述第一隔離層、所述第一穩定層、所述第二隔離層及所述第二穩定層的通孔，在所述通孔的側壁及底部形成下電極；

去除部分厚度的所述第二穩定層，露出部分所述下電極；

在露出的所述下電極側壁形成掩膜層，且相鄰所述下電極側壁的所述掩膜層相抵接；

以所述掩膜層為掩膜，刻蝕所述第二穩定層，形成第一開口。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，去除部分厚度的所述第二穩定層后，還包括步驟：形成填充滿所述通孔的填充層；所述填充層為單層結構；且所述填充層與所述掩膜層在同一工藝步驟中形成。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述填充層及所述掩膜層的步驟包括：在所述通孔內、露出的所述下電極的側壁及所述第二穩定層的表面形成初始填充層；去除位于所述第二穩定層表面的部分所述初始填充層，形成位于所述通孔內的所述填充層，以及位于所述下電極側壁的所述掩膜層。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，去除部分厚度的所述第二穩定層后，還包括步驟：形成填充滿所述通孔的填充層；所述填充層為雙層結構，包括第一介質層和第一上電極，所述第一介質層覆蓋所述下電極內壁及底部，所述第一上電極覆蓋所述第一介質層的表面；且所述填充層與所述掩膜層在同一工藝步驟中形成。

5.根據權利要求4所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述填充層及所述掩膜層的步驟包括：在所述下電極的側壁、內壁及底部，以及所述第二穩定層表面形成初始第一介質層；在所述初始第一介質層表面形成初始第一上電極；去除部分所述初始第一上電極，形成位于所述通孔內的第一上電極以及位于所述下電極側壁的第一掩膜層，所述第一上電極的頂面與所述第一掩膜層的頂面及所述初始第一介質層的頂面齊平；去除部分所述初始第一介質層，形成位于所述第一上電極與所述下電極之間的第一介質層，以及緊貼所述下電極側壁的第二掩膜層；所述第一介質層的頂面與所述第二掩膜層的頂面、所述下電極的頂面齊平，且低于所述第一掩膜層的頂面及所述第一上電極的頂面；所述第一掩膜層及所述第二掩膜層構成所述掩膜層，所述第一上電極及所述第一介質層構成所述填充層。

6.根據權利要求4所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述第一開口后，還包括步驟：去除所述第二隔離層；去除所述第二隔離層后，以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述第一穩定層，形成第二開口；形成所述第二開口后，去除所述第一隔離層。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，去除所述第一隔離層后，在所述下電極的側壁及所述填充層的頂部形成第二介質層，形成所述第二介質層后，在所述第二介質層的表面形成第二上電極。

8.根據權利要求7所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述第二上電極后，還包括步驟：去除高于所述第一上電極頂面的所述第二介質層，露出所述第一上電極，在所述第一上電極及所述第二上電極上形成第三上電極，所述第一上電極及所述第二上電極通過所述第三上電極電連接。

9.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底，

位于所述基底上的分立的第一穩定層及第二穩定層，所述第一穩定層位于靠近所述基底的一層，所述第二穩定層位于遠離所述基底的一層；

貫穿所述第一穩定層及所述第二穩定層的下電極，所述下電極的底面緊貼所述基底；

位于所述下電極側壁的掩膜層，所述掩膜層還位于所述第二穩定層上，且相鄰所述下電極側壁的所述掩膜層相抵接。

10.根據權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，還包括，位于所述下電極內的填充層，所述填充層為單層結構。