[發明專利]一種埋阻金屬箔在審
| 申請號： | 202011301510.4 | 申請日： | 2020-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN114516203A | 公開（公告）日： | 2022-05-20 |
| 發明（設計）人： | 蘇陟;高強 | 申請（專利權）人： | 廣州方邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | B32B15/04 | 分類號： | B32B15/04;B32B15/18;B32B15/20;B32B27/06;B32B27/28;B32B27/36;B32B7/06;B32B3/08;B32B33/00;B32B37/02;C23C28/02;H05K1/16 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 麥小嬋;郝傳鑫 |
| 地址： | 510530 廣東省廣州市廣州高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 | ||
1.一種埋阻金屬箔，其特征在于，包括介質層、第一阻隔層和埋阻金屬箔本體，所述埋阻金屬箔本體包括電阻層和導電層，所述第一阻隔層設于所述介質層和所述電阻層之間，所述導電層鍍設于所述電阻層遠離所述第一阻隔層的一面上，所述電阻層上任意一處的預設單位面積內的阻值公差在-10％～10％的范圍內。
2.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述埋阻金屬箔還包括多個導電凸起；
多個所述導電凸起間隔分布在所述電阻層遠離所述第一阻隔層的一面上，且多個所述導電凸起被所述導電層覆蓋。
3.如權利要求2所述的埋阻金屬箔，其特征在于，多個所述導電凸起為第一金屬顆粒和/或由多個第二金屬顆粒組成的顆粒團簇。
4.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述埋阻金屬箔還包括載體層，所述載體層設于所述介質層遠離所述第一阻隔層的一面上。
5.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述第一阻隔層包括層疊設置的耐高溫層和金屬粘結層；
所述金屬粘結層設于所述耐高溫層和所述電阻層之間。
6.如權利要求5所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述耐高溫層為有機耐高溫層；或，
所述耐高溫層包括鎢、鉻、鋯、鈦、鎳、鉬、鈷和石墨中的任意一種或多種。
7.如權利要求5所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述耐高溫層為單層合金結構、由單金屬層構成的多層結構或由合金層與單金屬層構成的多層結構。
8.如權利要求5所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述金屬粘結層包括銅、鋅、鎳、鐵和錳中的任意一種或多種。
9.如權利要求1-8任一項所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電層的厚度為2微米至20微米。
10.如權利要求1-8任一項所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電層包括鋁、銀、銅、金中的任意一種或多種。
11.如權利要求1-8任一項所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電層的導電率為所述電阻層的導電率的2-1000倍。
12.如權利要求1-8任一項所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述電阻層包括鎳、鉻、鉑、鈀、鈦中的任意一種金屬，或者包括鎳、鉻、鉑、鈀、鈦、硅中至少兩種組合的合金。
13.如權利要求1-8所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述埋阻金屬箔還包括第二阻隔層，所述第二阻隔層設于所述電阻層和所述導電層之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣州方邦電子股份有限公司，未經廣州方邦電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011301510.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種機電維修用便攜式焊接輔助裝置
- 下一篇：一種無黏土相微泡鉆井液
