[發明專利]液位測量方法及拉單晶方法

在審

• 申請號: 202011299514.3
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112522779A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 鄧先亮
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06;G01F23/292
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種液位測量方法，其特征在于，用于探測拉晶設備內的熔體的液位信息，所述拉晶設備包括爐體、坩堝、導流筒以及探測器，所述坩堝設置于所述爐體內并用于容置所述熔體，所述導流筒設置于所述爐體內并位于所述坩堝的上方，所述導流筒與所述熔體的熔體液面之間具有熔間隙，所述液位測量方法包括以下步驟：

將探測器配置為設置于所述熔體的熔體液面的上方；

利用所述探測器獲取所述熔體液面至所述探測器的第一距離的信息；以及，

基于所述第一距離的信息獲取所述熔體液面至導流筒的熔體液位信息，得到所述熔間隙的距離。

2.根據權利要求1所述的液位測量方法，其特征在于，在所述基于所述第一距離的信息獲取所述熔體液面至導流筒的熔體液位信息，得到所述熔間隙的距離的步驟之前，所述液位測量方法還包括：

將所述探測器設置于所述熔體液面的正上方，確定所述導流筒至所述探測器的第二距離，其中，所述第二距離小于所述第一距離。

3.根據權利要求2所述的液位測量方法，其特征在于，所述基于所述第一距離的信息獲取所述熔體液面至導流筒的熔體液位信息，得到所述熔間隙的距離的步驟包括：

M＝L-h

其中，M表示所述熔間隙的距離，L表示所述第一距離，h表示所述第二距離。

4.根據權利要求1所述的液位測量方法，其特征在于，所述熔體液面的中心被提拉出一晶體，所述探測器距所述晶體的中心軸的距離在150～400mm之間。

5.根據權利要求1所述的液位測量方法，其特征在于，所述探測器通過電磁波的返回信號獲取所述第一距離的信息，或者，所述探測器為激光雷達。

6.根據權利要求1所述的液位測量方法，其特征在于，所述探測器探測的距離精度在0.1mm之內。

7.根據權利要求1所述的液位測量方法，其特征在于，在所述爐體的頂部開設一視窗，所述探測器配置為設置于所述視窗處。

8.一種拉單晶方法，其特征在于，所述拉單晶方法包括以下步驟：

采用權利要求1～7中任一項所述的液位測量方法獲取所述熔體的熔體液位信息；以及，

根據所述熔體液位信息調節坩堝的位置。

9.根據權利要求8所述的拉單晶方法，其特征在于，拉晶設備包括控制器，所述根據所述熔體液位信息調節坩堝的位置的步驟包括：

所述控制器接收探測器反饋的所述熔體液位信息，并調節所述坩堝的位置。

10.根據權利要求9所述的拉單晶方法，其特征在于，所述根據所述熔體液位信息調節坩堝的位置的步驟還包括：

預設所述控制器的標準液位信息；

將所述控制器接收到的所述熔體液位信息與標準液位信息進行對比；

若所述熔體液位信息小于標準液位信息，則執行所述坩堝下降的命令；

若所述熔體液位信息大于標準液位信息，則執行所述坩堝上升的命令；

若所述熔體液位信息等于標準液位信息，則不執行命令。