[發(fā)明專(zhuān)利]基于SPR的D型光子晶體光纖磁場(chǎng)敏感傳感裝置及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011298574.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112433183A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈濤;張智文;王韶峰;梁涵;楊添宇;姜金剛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 哈爾濱理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R33/032 | 分類(lèi)號(hào): | G01R33/032 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 150080 黑龍江省哈爾*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 spr 光子 晶體 光纖 磁場(chǎng) 敏感 傳感 裝置 方法 | ||
1.基于SPR的D型光子晶體光纖磁場(chǎng)敏感傳感裝置及方法,其特征在于,由寬帶光源(1)、偏振器(2)、流通池(3)、D型光子晶體光纖(4)、單模光纖(5)、光譜分析儀(6)和計(jì)算機(jī)(7)組成;所述光纖磁場(chǎng)敏感傳感裝置位于流通池內(nèi),流通池內(nèi)有控制磁流體的入口(8)和出口(9),外部有永磁體(10);
所述D型光子晶體光纖(4)側(cè)面拋光表面涂覆銀摻雜氧化鋅薄膜,與所述D型光子晶體光纖(4)熔接的單模光纖(5)、涂覆銀摻雜氧化鋅薄膜的D型光子晶體光纖(4)一起構(gòu)成所述一種基于SPR的D型光子晶體光纖磁場(chǎng)敏感傳感裝置的探頭;
所述D型光子晶體光纖(4)包括:包層(15)、25個(gè)位于包層中的空氣孔;其特征在于,空氣孔(11)和空氣孔(12)以原點(diǎn)為中心分別旋轉(zhuǎn)20°、40°、60°、79°,再鏡像形成第一層空氣孔、第二層空氣孔;空氣孔(13)以原點(diǎn)為中心分別旋轉(zhuǎn)20°、40°,再鏡像形成第三層空氣孔;橢圓空氣孔(14)位于y軸(空)纖芯處;
所述D型光子晶體光纖(4)側(cè)面拋光表面涂覆銀摻雜氧化鋅薄膜的制備方法為:將60mL醋酸鋅無(wú)水乙醇溶液(0.015M)和30mL氫氧化鈉無(wú)水乙醇溶液(0.0225M)在燒杯中混合攪拌2小時(shí),制得種子溶液;將純ZnO的種子溶液與300mL的硝酸鋅溶液(0.03M)和300mL的六甲基四胺溶液(0.03M)混合攪拌;通過(guò)混合和攪拌150毫升硝酸鋅(0.008M,0.0076M,0.0072M,0.0068M,0.0064M,0.006M)水溶液,150毫升硝酸銀(0.024M,0.0248M,0.0256M,0.0264M,0.0272M,0.028M)水溶液和六次甲基四胺300毫升(0.03M)溶液獲得不同濃度的Ag摻雜ZnO(60%~70%)納米材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SPR的D型光子晶體光纖磁場(chǎng)敏感傳感裝置及方法,其特征在于:所述D型光子晶體光纖(4)的包層空氣孔間距Λ為10-12μm,包層(15)直徑D為100μm,空氣孔(11)、空氣孔(12)和空氣孔(13)的直徑d1、d2和d3分別為8.55-9.45μm、6.65-7.35μm、4.75-5.25μm;橢圓空氣孔(14)的短軸a和長(zhǎng)軸b分別為3μm和7μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SPR的D型光子晶體光纖磁場(chǎng)敏感傳感裝置及方法,其特征在于:所述D型光子晶體光纖(4)的包層材料為熔融石英,其折射率由Sellmeier公式定義。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SPR的D型光子晶體光纖磁場(chǎng)敏感傳感裝置及方法,其特征在于:所述磁流體為水基四氧化三鐵磁流體,通過(guò)水熱法制備,通過(guò)改變永磁體與磁流體距離,使磁場(chǎng)強(qiáng)度改變,進(jìn)而改變磁流體折射率,由阿貝折射儀測(cè)量。
5.基于SPR的D型光子晶體光纖磁場(chǎng)敏感傳感裝置及方法,其特征在于:采用堆疊-拉絲技術(shù)制備光子晶體光纖,然后在V型槽中進(jìn)行拋磨加工成D型光子晶體光纖,利用射頻磁控濺射方法可以得到所述的涂覆銀摻雜氧化鋅薄膜的D型光子晶體光纖;
所述的堆疊-拉絲技術(shù)為:首先對(duì)石英套管進(jìn)行預(yù)處理,在超凈環(huán)境下按照參數(shù)拉制毛細(xì)管,拉制溫度為1900℃-2000℃,之后對(duì)毛細(xì)管兩端用氫氧焰進(jìn)行拉錐封孔,在石英套管中將毛細(xì)管按照設(shè)計(jì)要求堆積形成所需的結(jié)構(gòu),用純石英棒對(duì)空隙進(jìn)行填充,利用氧炔火焰將石英套管與毛細(xì)管燒結(jié)在一起,在拉絲塔上使用兩次拉絲技術(shù)制成光子晶體光纖;
所述的基于SPR的D型光子晶體光纖磁場(chǎng)敏感傳感裝置及方法,其傳輸路徑如下:所述寬帶光源(1)經(jīng)過(guò)偏振器(2)變成y偏振光,通過(guò)流通池(3)傳輸?shù)紻型光子晶體光纖(4),由D型光子晶體光纖(4)輸出由單模光纖(5)輸入至光譜分析儀(6),光譜分析儀(6)的輸出端連接計(jì)算機(jī)(7),其特征在于:
所述銀摻雜氧化鋅薄膜表面激發(fā)的等離子體波波矢與入射光場(chǎng)的波矢在特定的波長(zhǎng)范圍內(nèi)達(dá)到相位匹配,發(fā)生耦合,出現(xiàn)共振損耗峰;表面等離子體共振(SPR)對(duì)介質(zhì)環(huán)境十分敏感,磁流體折射率RI變化會(huì)使共振條件發(fā)生變化,導(dǎo)致共振損耗峰發(fā)生明顯變化,可以實(shí)現(xiàn)高靈敏度、實(shí)時(shí)性探測(cè)。在磁流體折射率RI為1.40-1.41時(shí),所述的一種基于SPR的D型光子晶體光纖磁場(chǎng)敏感傳感器達(dá)到最大靈敏度6000nm/RIU,分辨率為1.667×10-5RIU。
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