[發(fā)明專利]基于鈮酸鋰的波導(dǎo)陣列及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011298132.9 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112255724A | 公開（公告）日： | 2021-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馮吉軍;劉海鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州科沃微電子有限公司;上海理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G02B6/12 | 分類號(hào)： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海灣谷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 倪繼祖 |
| 地址： | 215431 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 鈮酸鋰 波導(dǎo) 陣列 及其 制造 方法 | ||
1.一種基于鈮酸鋰的波導(dǎo)陣列，其特征在于，包括：
硅基襯底；
沉積在所述硅基襯底上的二氧化硅緩沖層；
位于所述二氧化硅緩沖層上的芯層；以及
位于所述芯層上，并包覆所述芯層的二氧化硅包層；
其中，所述芯層包括：左右對(duì)稱的兩個(gè)鈮酸鋰寬波導(dǎo)、第一鈮酸鋰光柵和第二鈮酸鋰光柵；
所述第一鈮酸鋰光柵和第二鈮酸鋰光柵位于兩個(gè)所述鈮酸鋰寬波導(dǎo)之間；所述第一鈮酸鋰光柵位于所述第二鈮酸鋰光柵左邊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于鈮酸鋰的波導(dǎo)陣列，其特征在于，所述鈮酸鋰寬波導(dǎo)為直波導(dǎo)，寬度為0.5μm，高度為0.3μm，兩個(gè)所述鈮酸鋰寬波導(dǎo)之間間隙為1.46μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于鈮酸鋰的波導(dǎo)陣列，其特征在于，所述芯層還包括：位于所述二氧化硅緩沖層上，并位于所述鈮酸鋰寬波導(dǎo)、第一鈮酸鋰光柵和第二鈮酸鋰光柵下方的鈮酸鋰薄膜，該鈮酸鋰薄膜厚度為0.1μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于鈮酸鋰的波導(dǎo)陣列，其特征在于，所述第一鈮酸鋰光柵的周期為0.35-0.45μm，占空比為0.85-0.95，寬度為0.24-0.28μm，光柵數(shù)目為250，所述第一鈮酸鋰光柵距離左側(cè)鈮酸鋰寬波導(dǎo)間距為0-0.05μm；
所述第二鈮酸鋰光柵的周期為0.8-0.9μm，占空比為0.15-0.25，寬度為0.05-0.15μm，光柵數(shù)目為150，所述第二鈮酸鋰光柵距離右側(cè)鈮酸鋰寬波導(dǎo)間距為0.4-0.45μm；
所述第一鈮酸鋰光柵和第二鈮酸鋰光柵之間的間距為0.14-0.18μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于鈮酸鋰的波導(dǎo)陣列，其特征在于，還包括附著在二氧化硅包層上的金屬電極。
6.一種如權(quán)利要求1所述基于鈮酸鋰的波導(dǎo)陣列的制造方法，其特征在于，包括：
步驟一，在硅基襯底上沉積二氧化硅緩沖層，在二氧化硅緩沖層上沉積鈮酸鋰層；
步驟二，在鈮酸鋰層上加入光致抗蝕劑，再上掩模版進(jìn)行電子束光刻，然后氬離子體轟擊鈮酸鋰層進(jìn)行等離子體刻蝕并實(shí)時(shí)監(jiān)控刻蝕深度，形成芯層；
步驟三，對(duì)芯層表面進(jìn)行濕化學(xué)工藝清洗，去除鈮酸鋰表面雜質(zhì)；
步驟四，使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在芯層上沉積二氧化硅包層；
步驟五，進(jìn)行掩模版光刻，應(yīng)用相應(yīng)的光刻膠烘干工藝和金屬剝離技術(shù)將金屬電極附著到二氧化硅包層上。
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