[發明專利]具光耦特性的電子元件的改良結構在審
| 申請號： | 202011293597.5 | 申請日： | 2020-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN114520217A | 公開（公告）日： | 2022-05-20 |
| 發明（設計）人： | 梁偉成;張平 | 申請（專利權）人： | 芯巧科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/16 | 分類號： | H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京匯知杰知識產權代理有限公司 11587 | 代理人： | 李潔;董江虹 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具光耦 特性 電子元件 改良 結構 | ||
1.一種具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，其包括：
絕緣體，具有頂面及底面；
發光單元，設于所述絕緣體的頂面；以及
感光單元，設于所述絕緣體的頂面，并相鄰于所述發光單元，且與所述發光單元電性絕緣，
其中，在所述發光單元、所述感測單元及所述絕緣體之間構成有一光通道。
2.根據權利要求1所述的具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，在所述發光單元及所述感測單元之間的所述絕緣體內構成有所述光通道。
3.根據權利要求2所述的具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，所述發光單元具有發光面，所述發光面的方向是朝向所述絕緣體的頂面，所述感光單元是具有收光面，所述收光面的方向朝向所述絕緣體的頂面。
4.根據權利要求3所述的具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，所述絕緣體可透光，并在所述發光單元以及所述感光單元之間提供所述光通道。
5.根據權利要求4所述的具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，所述絕緣體為可透光基板或玻璃基板。
6.根據權利要求4所述的具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，所述光通道由所述發光單元的所述發光面、所述絕緣體的內部以及所述感光單元的所述收光面所構成。
7.根據權利要求1所述的具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，其包括導線層以及反光層，所述導線層以及所述反光層設在所述絕緣體的頂面。
8.根據權利要求1所述的具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，所述電子元件為光電耦合器。
9.根據權利要求8所述的具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，所述光電耦合器包括類比式光電耦合器或數位式光電耦合器。
10.根據權利要求9所述的具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，所述發光單元為發光二極體。
11.根據權利要求1所述的具光耦特性的電子元件的改良結構，其特征在于，所述感光單元為光敏電阻、光電二極體、光電晶體或可控硅整流器。
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