[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011292879.3
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN113314521A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 鐘政庭;蔡慶威;程冠倫
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

第一多個全環柵(GAA)器件，位于第一器件區中，其中，所述第一多個全環柵器件中的每個包括：

溝道構件的第一垂直堆疊件，沿著第一方向延伸，和

第一柵極結構，位于所述溝道構件的第一垂直堆疊件上方和周圍；以及

第二多個全環柵器件，位于第二器件區中，其中，所述第二多個全環柵器件中的每個包括：

溝道構件的第二垂直堆疊件，沿著第二方向延伸，和

第二柵極結構，位于所述溝道構件的第二垂直堆疊件上方和周圍，

其中，所述第一多個全環柵器件中的每個包括第一溝道長度，

其中，所述第二多個全環柵器件中的每個包括小于所述第一溝道長度的第二溝道長度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一柵極結構的每個包括：

第一柵極頂部部件，設置在所述溝道部件的第一垂直堆疊件的最頂部溝道部件上方；和

多個第一下部柵極部件，設置在所述溝道部件的第一垂直堆疊件的兩個相鄰的溝道部件之間，

其中，所述第二柵極結構的每個包括：

第二柵極頂部部件，設置在所述溝道部件的第二垂直堆疊件的最頂部溝道部件上方，和

多個第二下部柵極部件，設置在所述溝道部件的第二垂直堆疊件的兩個相鄰的溝道部件之間，

其中，所述第一柵極頂部部件包括沿著所述第一方向的第一長度，

其中，所述第二柵極頂部部件包括沿著所述第二方向的第二長度，

其中，所述第一長度和所述第二長度相同。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，所述多個第一下柵極部件中的每個包括沿著所述第一方向的第三長度，

其中，所述多個第二下部柵極部件中的每個包括沿著所述第二方向的第四長度，

其中，所述第三長度大于所述第四長度。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第四長度與所述第一長度相同。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述第三長度在6nm和30nm之間，

其中，所述第四長度在5nm和20nm之間。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述第一多個全環柵器件中的每個還包括沿著所述第一柵極頂部部件設置的第一柵極間隔件，

其中，所述第二多個全環柵器件中的每個還包括沿著所述第二柵極頂部部件設置的第二柵極間隔件，

其中，所述第一柵極間隔件包括第一厚度，

其中，所述第二柵極間隔件包括小于所述第一厚度的第二厚度。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述第一厚度和所述第二厚度之間的差在0.5nm和5nm之間。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一多個全環柵器件包括第一柵極節距，

其中，所述第二多個全環柵器件包括與所述第一柵極節距相同的第二柵極節距。