[發明專利]一種四葉草形天線的石墨烯光電探測器及制備方法

在審

• 申請號: 202011292424.1
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112331736A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 王林;侯時聰;郭萬龍;陳效雙;陸衛
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/18
• 代理公司: 上海滬慧律師事務所 31311
• 代理人: 郭英

1.一種四葉草形天線的石墨烯光電探測器，其特征在于：

所述的探測器的結構為：在Si襯底(1)上是SiO₂氧化層(2)，在SiO₂氧化層(2)上有單層石墨烯(3)，源電極(4)和漏電極(5)位于單層石墨烯(3)兩端，氧化鋁薄膜(6)覆蓋在單層石墨烯(3)、源電極(4)和漏電極(5)上，并且保證每個電極有部分裸露在外，在氧化鋁薄膜(6)上有柵電極(7)，所述的柵電極(7)位于源電極(4)和漏電極(5)的之間，柵電極(7)和源電極(4)構成了四葉草形天線結構；

所述Si襯底(1)是高阻硅，電阻率大于10000Ω·cm；

所述的單層石墨烯(3)長度是6μm到10μm，寬度是4μm。

2.一種制備如權利要求1所述的光電探測器的方法，其特征在于方法如下：

采用化學氣相沉積方法在銅箔上生長制備單層石墨烯；將化學氣相沉積生長的單層石墨烯轉移到有SiO₂氧化層的Si襯底上，利用紫外光刻技術、熱蒸鍍、氧刻、原子層沉積、剝離和濕法腐蝕等步驟制作源、漏和頂柵電極，形成頂柵石墨烯場效應晶體管器件；將頂柵器件與做好的底座點焊連接起來，制備成具有四葉草形天線結構的單層石墨烯光電探測器。