[發明專利]光掩膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202011287139.0
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112394610A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 張翩;方紅
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G03F1/38
• 分類號: G03F1/38;G03F1/40
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

本發明提供了一種光掩膜，包括：透光層以及不透光層，不透光層設置于透光層上，且不透光層包括多個不透光區塊，多個不透光區塊各具有與相鄰的不透光區塊相近的角隅部，且不透光層還包括片狀接觸結構，片狀接觸結構連接兩個相鄰的不透光區塊的角隅部，本發明提供的光掩膜，通過在光掩膜的不透光層中的相鄰的不透光區塊之間設置片狀接觸結構，而使相鄰的不透光區塊不會通過尖角構成連接，有效地避免了相鄰的不透光區塊因連續放電而發生收縮和爆炸，進而提高了光掩膜的使用壽命。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種光掩膜及其制備方法。

背景技術

在半導體制造的整個流程中，光掩膜或稱光罩(mask)制造是從版圖到晶圓(wafer)制造中間的一個過程。這一部分是流程銜接的關鍵部分，是流程中造價最高的一部分，也是限制最小線寬的瓶頸之一。

光掩膜是微電子制造領域中光刻工藝所使用的圖形母版，是由不透光的遮光薄膜在透明基板上形成掩模圖形，并通過曝光將圖形轉印到產品基板之上。對于制造超大規模集成電路(VLSI，Very Large Scale Integration)和特大規模集成電路(ULSI，UltraLarge Scale Integration)，光掩模技術已經變得越來越重要。

但是，現有設計下的光掩膜，其不透光層中相鄰的不透光區塊通過尖角連接在一起，在這種情況下，相鄰的不透光區塊之間的連續放電會導致不透光區塊的收縮和爆炸，從而會縮短光掩膜的使用壽命。

發明內容

本發明提供了一種光掩膜及其制備方法，有效地解決了光掩膜的不透光層中相鄰的不透光區塊通過尖角連接在一起，導致相鄰的不透光區塊會因連續放電而發生收縮和爆炸，從而縮短光掩膜的使用壽命的問題。

為了解決上述問題，本發明提供了一種光掩膜，所述光掩膜包括：

透光層；

不透光層，所述不透光層設置于所述透光層上，且所述不透光層包括多個不透光區塊，所述多個不透光區塊各具有與相鄰的所述不透光區塊相近的角隅部，且所述不透光層還包括片狀接觸結構，所述片狀接觸結構連接兩個相鄰的所述不透光區塊的所述角隅部。

進一步優選的，所述光掩膜還包括至少一個靜電放電保護環形凹槽，所述靜電放電保護環形凹槽沿所述不透光區塊的邊緣形成于所述不透光區塊中，并貫穿所述不透光區塊。

進一步優選的，在通過所述片狀接觸結構連接的相鄰的所述不透光區塊上分別形成有所述靜電放電保護環形凹槽，且所述光掩膜還包括至少一個靜電放電保護橋狀凹槽，所述靜電放電保護橋狀凹槽連接相鄰的所述靜電放電保護環形凹槽，且所述靜電放電保護橋狀凹槽形成于所述片狀接觸結構中，并貫穿所述片狀接觸結構。

進一步優選的，所述片狀接觸結構延伸于兩個相鄰的所述不透光區塊的所述角隅部之間，且具有一垂直于所述延伸方向的橫向寬度，所述橫向寬度大于0.25微米。

進一步優選的，所述接觸結構的形狀包括矩形、圓形以及梯形其中至少之一。

進一步優選的，所述透光層的材料包括石英。

進一步優選的，所述不透光層的材料包括鉻。

另一方面，本發明還提供了一種光掩膜的制備方法，所述制備方法包括：

提供透光層；

在所述透光層上形成包括多個不透光區塊的不透光層，所述多個不透光區塊各具有與相鄰的所述不透光區塊相近的角隅部；

在所述透光層上形成連接兩個相鄰的所述不透光區塊的所述角隅部的片狀接觸結構。

進一步優選的，在所述透光層上形成連接兩個相鄰的所述不透光區塊的所述角隅部的片狀接觸結構之后，還包括靜電放電保護環形凹槽形成步驟，包括：