[發(fā)明專利]貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)及利用二氯甲烷包覆提高其強(qiáng)耦合劈裂能量的方法

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• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112504974A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓曉博;王凱;胡智偉
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢工程大學(xué)
• 主分類號: G01N21/25
• 分類號: G01N21/25;G01N21/47
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 唐萬榮;閉釗

1.一種貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)，其特征在于：該復(fù)合結(jié)構(gòu)包括依次排列的絕緣基底、金屬膜、金屬氧化物膜、二硫化鎢膜以及銀立方體。

2.如權(quán)利要求1所述的貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣基底具體為硅基底，所述金屬膜包括依次排列的鈦膜和銀膜，所述金屬氧化物膜具體為氧化鋁膜。

3.如權(quán)利要求2所述的貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)，其特征在于：鈦膜的厚度為10nm，銀膜的厚度為80nm，氧化鋁膜的厚度為9nm，二硫化鎢膜為單層WS₂，銀立方體的厚度為65-75nm。

4.如權(quán)利要求2所述的貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)，其特征在于：該貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法具體為：首先通過電子束蒸發(fā)的方法依次在硅基底上蒸鍍相應(yīng)厚度的鈦膜、銀膜，然后通過原子層沉積的方法在銀膜表面沉積相應(yīng)厚度的氧化鋁膜，接著將單層二硫化鎢膜干法轉(zhuǎn)移至氧化鋁膜表面，最后將銀納米立方體懸浮液滴涂在樣品表面，靜置后洗凈即可。

5.如權(quán)利要求4所述的貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)，其特征在于：鈦膜、銀膜的沉積速度分別為0.1-0.5nm/s、0.12-2nm/s；氧化鋁膜沉積時(shí)的溫度為80-120℃，壓力為0.19-0.22torr。

6.利用二氯甲烷包覆提高權(quán)利要求1所述貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)強(qiáng)耦合劈裂能量的方法，其特征在于該方法包括以下步驟：將二氯甲烷滴加到貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)表面，再蓋上透光保護(hù)片測試即可。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述測試具體過程如下：(a)通過暗場散射的方法探測空氣中單個(gè)貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)的暗場散射光譜，得到雙峰的散射光譜圖；(b)測試不同銀立方體尺寸所對應(yīng)的散射譜，獲得局域表面等離激元能量與二維材料激子能量差在一定范圍調(diào)諧的數(shù)據(jù)；(c)以表面滴加了二氯甲烷并蓋上蓋玻片的貴金屬納米腔/二維材料復(fù)合結(jié)構(gòu)為對象，重復(fù)步驟(a)和(b)；(d)通過軟件擬合處理得到的光譜數(shù)據(jù)，計(jì)算空氣和二氯甲烷氛圍中強(qiáng)耦合劈裂能量。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：步驟(a)單顆粒暗場散射光譜的測試過程在室溫條件下進(jìn)行。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述軟件為Origin，擬合處理公式基于耦合諧振子模型。