[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、閃存器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011282736.4
• 申請(qǐng)日: 2020-11-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112397391B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁浩;熊偉;張超然;陳華倫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L29/788
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種閃存器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上依次形成隧穿氧化層、浮柵層、ONO結(jié)構(gòu)、控制柵層；

在所述控制柵層表面形成氮化硅層；

通過(guò)光刻和刻蝕工藝在所述氮化硅層中形成柵極窗口；

在所述氮化硅層的柵極窗口內(nèi)形成兩個(gè)字線限位側(cè)墻；

去除所述柵極窗口下方未被所述字線限位側(cè)墻覆蓋的控制柵層、ONO結(jié)構(gòu)、浮柵層、隧穿氧化層，并形成字線結(jié)構(gòu)，所述字線結(jié)構(gòu)包括字線側(cè)墻和字線多晶硅；

對(duì)所述字線多晶硅的頂部進(jìn)行回刻蝕，令刻蝕后的字線多晶硅頂部低于所述字線限位側(cè)墻的頂部且高于所述字線側(cè)墻；

通過(guò)CVD工藝沉積字線保護(hù)氧化層，并進(jìn)行CMP處理，所述字線保護(hù)氧化層覆蓋所述字線多晶硅和所述字線限位側(cè)墻外側(cè)的氮化硅層；

通過(guò)熱爐管在所述字線保護(hù)氧化層和所述字線限位側(cè)墻外側(cè)的氮化硅層上形成一層氮化硅；

對(duì)閃存器件進(jìn)行源漏自對(duì)準(zhǔn)刻蝕，其中，所述字線保護(hù)氧化層被刻蝕去除，字線限位側(cè)墻和字線多晶硅被調(diào)整為相同的高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述字線多晶硅的頂部進(jìn)行回刻蝕，包括：

利用包含HBr和的刻蝕氣體對(duì)所述字線多晶硅的頂部進(jìn)行回刻蝕；

所述刻蝕氣體對(duì)多晶硅的刻蝕速率大于所述刻蝕氣體對(duì)氮化硅和氧化硅的刻蝕速率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，利用熱爐管生長(zhǎng)氮化硅的工藝溫度為760℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述ONO結(jié)構(gòu)由氧化層、氮化硅層、氧化層堆疊構(gòu)成。