[發(fā)明專利]一種低霧度透明導(dǎo)電膜及其制備方法

有效

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• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN112530627B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱業(yè)君;張立文;閆勇
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州城邦達(dá)益材料科技有限公司;哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 深圳市添源創(chuàng)鑫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44855
• 代理人: 周椿

1.一種低霧度透明導(dǎo)電膜，其特征在于：其包括透明基材、導(dǎo)電基元、第一霧度調(diào)控層和第二霧度調(diào)控層；

所述導(dǎo)電基元在透明基材表面形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)；

所述第一霧度調(diào)控層包含吸光性物質(zhì)，所述第一霧度調(diào)控層位于導(dǎo)電基元的表面；

所述第二霧度調(diào)控層包含折射率大于空氣的納米顆粒，所述第二霧度調(diào)控層位于第一霧度調(diào)控層的表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低霧度透明導(dǎo)電膜，其特征在于：所述導(dǎo)電基元包括納米金屬導(dǎo)電單元。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低霧度透明導(dǎo)電膜，其特征在于：所述吸光性物質(zhì)包括炭黑、碳納米管、石墨烯、二氧化釩納米粒子、二氧化錳納米粒子、四氧化三鐵納米粒子、氧化亞鐵納米粒子、氧化鈷納米粒子、氧化鎳納米粒子、氧化銅納米粒子、氧化銀納米粒子、天然黑色素或人工合成黑色素、聚多巴胺或其衍生物、聚氧乙烯醚或其衍生物、苯胺黑或其衍生物中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低霧度透明導(dǎo)電膜，其特征在于：所述第一霧度調(diào)控層包括表面活性劑；所述表面活性劑包括硬脂酸、硬脂酸鈉、油酸、油胺、油酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉、十六烷基溴化銨、氨基酸、聚乙二醇、吐溫80、脂肪酸甘油酯、聚二甲氧基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低霧度透明導(dǎo)電膜，其特征在于：所述第二霧度調(diào)控層的納米顆粒的折射率為1.1-2.8；第二霧度調(diào)控層中，所述納米顆粒包括導(dǎo)電聚合物納米粒子、非導(dǎo)電聚合物納米粒子、無機物氧化物納米粒子、氫氧化物納米粒子中的至少一種；

其中，所述導(dǎo)電聚合物納米粒子包括PEDOT:PSS、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔或他們的衍生物中的至少一種；所述非導(dǎo)電聚合物納米粒子包括聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏氟乙烯、聚氨酯、聚丙烯腈、聚環(huán)氧乙烷中的至少一種；所述無機氧化物納米粒子包括氧化鉻、氧化銅、氧化鋁、鋯石、氧化硅、氧化鈦、氧化銦錫、摻鋁氧化鋅、氟氧化錫中的至少一種；所述氫氧化物納米粒子包括氫氧化鎳、氫氧化鈷、氫氧化鐵、氫氧化銅、氫氧化鋁中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低霧度透明導(dǎo)電膜，其特征在于：所述第二霧度調(diào)控層包含偶聯(lián)劑，所述偶聯(lián)劑包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-三巰丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、β-氨乙基-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、β-氨乙基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷中的一種或者任意幾種的混合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1~6任意一項所述的低霧度透明導(dǎo)電膜，其特征在于：所述透明基材為透明聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃中的一種。

8. 根據(jù)權(quán)利要求1~6任意一項所述的低霧度透明導(dǎo)電膜，其特征在于：所述低霧度透明導(dǎo)電膜的光學(xué)霧度小于2%，透過率大于88%，方阻小于200 Ω/sq。

9.如權(quán)利要求1~8任意一項所述的低霧度透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于：其包括如下步驟：

步驟S1，將透明基材進行清潔處理；

步驟S2，將導(dǎo)電基元附著在透明基材上，并使導(dǎo)電基元在透明基材的表面搭接成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)；

步驟S3，在步驟S2形成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的表面涂覆第一霧度調(diào)控層，使其吸附于導(dǎo)電基元的表面，并于50-300℃之間烘干處理，處理1-300分鐘；

步驟S4，然后涂覆第二霧度調(diào)控層，使其吸附于第一霧度調(diào)控層的表面，并于50-300℃之間烘干處理，處理1-300分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低霧度透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于：

步驟S1中，將透明基材置于乙醇中超聲清洗1-60分鐘，用氮氣吹干后，置于紫外-臭氧中清潔1-60分鐘；

步驟S2中，采用卷對卷涂布、靜電噴涂、超音速噴涂、旋涂機旋涂、Mayer棒滾涂、浸漬提拉、噴墨打印或靜電紡絲的涂布方式，使導(dǎo)電基元在基材表面搭接成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)；

步驟S3和步驟S4中，所述涂覆采用卷對卷涂布、靜電噴涂、超音速噴涂、旋涂機旋涂、Mayer棒滾涂、浸漬提拉或噴墨打印的方式；

步驟S3中，第一霧度調(diào)控層中吸光性物質(zhì)的質(zhì)量濃度為0.001-5%；

步驟S4中，第二霧度調(diào)控層中納米顆粒的質(zhì)量濃度為0.001-40%。