[發(fā)明專利]一次性便攜式記憶以及學(xué)習(xí)能力增強(qiáng)貼在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011275997.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112245800A | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡楚凡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 胡楚凡 |
| 主分類號(hào): | A61N1/36 | 分類號(hào): | A61N1/36;A61M21/00;A61N1/04;A61H39/00 |
| 代理公司: | 濟(jì)南日新專利代理事務(wù)所(普通合伙) 37224 | 代理人: | 王書剛 |
| 地址: | 250000 山東省濟(jì)*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一次性 便攜式 記憶 以及 學(xué)習(xí) 能力 增強(qiáng) | ||
1.一種一次性便攜式記憶以及學(xué)習(xí)能力增強(qiáng)貼,其特征是,包括正電極、負(fù)電極、電源以及開關(guān),正電極的一端連接電源正極,負(fù)電極的一端連接電源負(fù)極,正電極的另一端和負(fù)電極的另一端分別處于國(guó)際10-20腦電圖中F10和F3的位置上,開關(guān)設(shè)置在正電極與電源之間或者是負(fù)電極與電源之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次性便攜式記憶以及學(xué)習(xí)能力增強(qiáng)貼,其特征是,所述正電極、負(fù)電極、電源以及開關(guān)設(shè)置于增強(qiáng)層內(nèi),增強(qiáng)層上設(shè)有黏貼層,正電極和負(fù)電極露出黏貼層,開關(guān)露出增強(qiáng)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一次性便攜式記憶以及學(xué)習(xí)能力增強(qiáng)貼,其特征是,所述增強(qiáng)層內(nèi)設(shè)置有容納電源的空腔。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一次性便攜式記憶以及學(xué)習(xí)能力增強(qiáng)貼,其特征是,所述正電極和負(fù)電極與黏貼層之間設(shè)置絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次性便攜式記憶以及學(xué)習(xí)能力增強(qiáng)貼,其特征是,所述正電極和負(fù)電極為截面積3.5平方厘米的圓柱形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次性便攜式記憶以及學(xué)習(xí)能力增強(qiáng)貼,其特征是,所述電源電壓為6v-12v,電流為1mA-2mA。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次性便攜式記憶以及學(xué)習(xí)能力增強(qiáng)貼,其特征是,所述電源電壓為9v,電流為2mA。
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