[發(fā)明專(zhuān)利]計(jì)算機(jī)系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011275708.X
• 申請(qǐng)日: 2020-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112486870A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴(lài)振楠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳宏芯宇電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F13/16
• 分類(lèi)號(hào): G06F13/16
• 代理公司: 深圳市順天達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44217
• 代理人: 陸軍

1.一種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其特征在于，包括中央處理單元、持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存、自定義開(kāi)放通道SSD、內(nèi)存總線、擴(kuò)展總線以及橋接器，且所述內(nèi)存總線與擴(kuò)展總線通過(guò)橋接器相連，所述中央處理單元和持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存分別連接到內(nèi)存總線，所述自定義開(kāi)放通道SSD連接到擴(kuò)展總線；所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存中固化有自定義開(kāi)放通道SSD的維護(hù)程序，且在所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中，所述中央處理單元執(zhí)行所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存中的維護(hù)程序，對(duì)所述自定義開(kāi)放通道SSD進(jìn)行數(shù)據(jù)存取操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其特征在于，所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存包括集成到同一基體的內(nèi)存接口、DRAM芯片組、控制芯片、快閃存儲(chǔ)器及內(nèi)部總線，且所述控制芯片分別通過(guò)所述內(nèi)部總線與所述內(nèi)存接口、DRAM芯片組、快閃存儲(chǔ)器連接，所述內(nèi)存接口連接到所述內(nèi)存總線；

所述控制芯片響應(yīng)連接到所述內(nèi)存接口的所述中央處理單元的讀寫(xiě)請(qǐng)求，從所述DRAM芯片組獲取指令集并通過(guò)內(nèi)存接口將所述指令集傳送到所述中央處理單元以及將所述中央處理單元的執(zhí)行結(jié)果數(shù)據(jù)寫(xiě)入到所述DRAM芯片組；

所述維護(hù)程序固化于所述快閃存儲(chǔ)器，且所述控制芯片在所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存通電時(shí)，將所述快閃存儲(chǔ)器中的維護(hù)程序搬移到所述DRAM芯片組。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其特征在于，所述快閃存儲(chǔ)器中固化有嵌入式操作系統(tǒng)程序，且所述控制芯片在所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存通電時(shí)，將所述快閃存儲(chǔ)器中的嵌入式操作系統(tǒng)程序搬移到所述DRAM芯片組。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)還包括持久存儲(chǔ)器，所述持久存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有嵌入式操作系統(tǒng)程序，所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在啟動(dòng)時(shí)將所述持久存儲(chǔ)器中的嵌入式操作系統(tǒng)程序搬移到所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存的DRAM芯片組中。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其特征在于，所述控制芯片在所述DRAM芯片組中等待所述中央處理單元讀取的指令集符合預(yù)設(shè)條件時(shí)，通過(guò)所述內(nèi)存接口從所述快閃存儲(chǔ)器獲取所述DRAM芯片組中的指令集的后續(xù)指令集，并將所述后續(xù)指令集存儲(chǔ)到所述DRAM芯片組。

6.一種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)包括中央處理單元、持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存以及自定義開(kāi)放通道SSD、內(nèi)存總線、擴(kuò)展總線以及橋接器，且所述內(nèi)存總線與擴(kuò)展總線通過(guò)橋接器相連，且所述內(nèi)存總線與擴(kuò)展總線通過(guò)橋接器相連，所述中央處理單元和持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存分別連接到內(nèi)存總線，所述自定義開(kāi)放通道SSD連接到擴(kuò)展總線；所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存中固化有自定義開(kāi)放通道SSD的維護(hù)程序，所述方法包括：

在所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中，所述中央處理單元執(zhí)行所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存中的維護(hù)程序，對(duì)所述自定義開(kāi)放通道SSD進(jìn)行數(shù)據(jù)存取操作。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制方法，其特征在于，所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存包括集成到同一基體的內(nèi)存接口、DRAM芯片組、控制芯片、快閃存儲(chǔ)器及內(nèi)部總線，且所述控制芯片分別通過(guò)所述內(nèi)部總線與所述內(nèi)存接口、DRAM芯片組、快閃存儲(chǔ)器連接，所述內(nèi)存接口連接到所述內(nèi)存總線；所述方法還包括：

所述控制芯片在所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存通電時(shí)，將固化于所述快閃存儲(chǔ)器中的維護(hù)程序搬移到所述DRAM芯片組；

所述控制芯片響應(yīng)連接到所述內(nèi)存接口的所述中央處理單元的讀寫(xiě)請(qǐng)求，從所述DRAM芯片組獲取指令集并通過(guò)內(nèi)存接口將所述指令集傳送到所述中央處理單元以及將所述中央處理單元的執(zhí)行結(jié)果數(shù)據(jù)寫(xiě)入到所述DRAM芯片組。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制方法，其特征在于，所述快閃存儲(chǔ)器中固化有嵌入式操作系統(tǒng)程序，所述方法還包括：

所述控制芯片在所述持久儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存通電時(shí)，將所述快閃存儲(chǔ)器中的嵌入式操作系統(tǒng)程序搬移到所述DRAM芯片組。