[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011274769.4
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號(hào): CN112951823A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹承燦;韓東煥
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06;H01L21/8232;H01L21/8252
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 楊?yuàn)?/td>

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一結(jié)構(gòu)，包括：

第一半導(dǎo)體圖案，在垂直于襯底的上表面的豎直方向上從所述襯底突出，所述第一半導(dǎo)體圖案是溝道；

第一導(dǎo)電圖案，圍繞所述第一半導(dǎo)體圖案的上側(cè)壁并且不覆蓋所述第一半導(dǎo)體圖案的上表面，所述第一導(dǎo)電圖案是柵電極；

第一下雜質(zhì)區(qū)，在所述第一半導(dǎo)體圖案下方位于所述襯底的上部，所述第一下雜質(zhì)區(qū)接觸所述第一半導(dǎo)體圖案的下表面，所述第一下雜質(zhì)區(qū)為源極區(qū)或漏極區(qū)；以及

第一上雜質(zhì)區(qū)，接觸所述第一半導(dǎo)體圖案的上表面，所述第一上雜質(zhì)區(qū)是所述源極區(qū)或所述漏極區(qū)中的另一個(gè)；以及

第二結(jié)構(gòu)，包括：

第二半導(dǎo)體圖案，在與所述襯底的上表面平行的水平方向上彼此間隔開，所述第二半導(dǎo)體圖案中的每一個(gè)在所述豎直方向上從所述襯底突出；

第二導(dǎo)電圖案，分別圍繞所述第二半導(dǎo)體圖案的上側(cè)壁，并且不覆蓋所述第二半導(dǎo)體圖案的上表面；以及

第一接觸插塞，電連接到所述第二導(dǎo)電圖案，

其中，所述第一結(jié)構(gòu)是豎直場效應(yīng)晶體管vfet，所述第二結(jié)構(gòu)包括電阻器或電容器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體圖案和所述第二半導(dǎo)體圖案包括基本相同的半導(dǎo)體材料，所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案包括基本相同的金屬，并且所述第一下雜質(zhì)區(qū)和所述第一上雜質(zhì)區(qū)包括具有相同導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體圖案和所述第二半導(dǎo)體圖案的上表面基本上彼此共面，并且所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案具有基本相同的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體圖案和所述第二半導(dǎo)體圖案的上表面分別與所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案的上表面基本共面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述襯底上的間隔物，所述間隔物覆蓋所述第一半導(dǎo)體圖案和所述第二半導(dǎo)體圖案的下側(cè)壁，

其中，所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案形成在所述間隔物上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第二接觸插塞，電連接到所述第一導(dǎo)電圖案；

第三接觸插塞，接觸所述第一上雜質(zhì)區(qū)；以及

第四接觸插塞，接觸所述第一下雜質(zhì)區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述襯底上的第三導(dǎo)電圖案，所述第三導(dǎo)電圖案連接到所述第一導(dǎo)電圖案，

其中，所述第二接觸插塞接觸所述第三導(dǎo)電圖案的上表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電圖案是所述電阻器。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述襯底上的連接圖案，所述連接圖案將所述第二導(dǎo)電圖案彼此連接并且包括與所述第二導(dǎo)電圖案基本相同的材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述襯底上的焊盤，所述焊盤包括與所述第二導(dǎo)電圖案基本相同的材料，并且所述焊盤中的每一個(gè)焊盤在所述第二導(dǎo)電圖案中的一個(gè)第二導(dǎo)電圖案的一側(cè)，

其中，所述第一接觸插塞分別接觸所述焊盤的上表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第二下雜質(zhì)區(qū)，在所述第二半導(dǎo)體圖案下方位于所述襯底的上部，所述第二下雜質(zhì)區(qū)接觸所述第二半導(dǎo)體圖案的下表面；以及

第二上雜質(zhì)區(qū)，接觸所述第二半導(dǎo)體圖案的上表面，

其中，沒有電信號(hào)被施加到所述第二下雜質(zhì)區(qū)或所述第二上雜質(zhì)區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述第二導(dǎo)電圖案之間的層間絕緣層，

其中，所述第二結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電圖案和所述層間絕緣層是所述電容器。