[發明專利]一種P型鈍化接觸太陽能電池的制作方法

有效

• 申請號: 202011268541.4
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號: CN112397613B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 康海濤;趙建飛;胡燕;吳中亞;郭萬武;張燕飛
• 申請（專利權）人: 中建材浚鑫(桐城)科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/228;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/054
• 代理公司: 無錫睿升知識產權代理事務所(普通合伙) 32376
• 代理人: 姬穎敏

1.一種P型鈍化接觸太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

表面織構步驟，制絨清洗機對P型硅片進行表面織構；P型硅片浸入濃度：1.0-1.5wt％、溫度：70-90℃的氫氧化鈉溶液內，P型硅片表面腐蝕成若干錐狀表面形貌；所述P型硅片反應時間：200-400s，所述P型硅片反射率：11-12％；

高溫擴散步驟，氮氣帶動擴散源充入擴散爐中，所述擴散爐中充入氧氣；

刻蝕及拋光步驟，鏈式清洗機對P型硅片進行刻蝕；通過質量百分比為49％的氫氟酸酸液對P型硅片的背面和P型硅片的邊緣分別進行腐蝕；槽式清洗機對P型硅片進行拋光；通過質量百分比為47％氫氧化鉀和拋光添加劑對所述P型硅片的背面進行拋光；P型硅片的背面反射率：40-45％；

所述刻蝕及拋光步驟與所述背面薄膜制備步驟之間還包括正面氮化硅掩膜制備步驟：

正面氮化硅掩膜制備步驟，沉積溫度：450-550℃，硅烷流量：1000-2000sccm，氨氣流量：3500-5000sccm，壓力：1500-2000pa，沉積時間：100-300s；厚度：15-30nm，折射率：2.06-2.15；

背面薄膜制備步驟，通過低壓化學氣相沉積設備在所述P型硅片的背面制備薄膜；通過低壓化學氣相沉積法在所述P型硅片的背面制備二氧化硅薄膜；通過低壓化學氣相沉積法在所述P型硅片的背面制備P+型摻雜多晶硅薄膜或N+型摻雜多晶硅薄膜；二氧化硅薄膜厚度：1-2nm，P+型摻硼多晶硅薄膜厚度或N+型摻雜多晶硅薄膜：80-120nm；

正面去除介質步驟，通過槽式清洗機去除所述P型硅片上多余介質；

正面二氧化硅制備步驟，所述P型硅片置于高溫擴散爐內；采用熱氧化法在P型硅片的正面沉積二氧化硅薄膜；氧氣流量：1000-2000sccm，壓力：100-300pa，熱氧化溫度：600-700℃，時間：10-30min，二氧化硅厚度3-5nm；

熱處理步驟，所述高溫擴散爐內通入氮氣；氮氣流量：3000-5000sccm，溫度：800-900℃，時間：20-30min；

正背面制備步驟，正背面制備步驟具體包括：

正面氮化硅制備步驟，采用原子層沉積設備在所述P型硅片的正面制備氮化硅層；

背面氮化硅制備步驟，采用原子層沉積設備在所述P型硅片的背面制備氮化硅層；

電極制備步驟，通過絲網印刷機分別制備正面電極和背面電極，收集電流，經過燒結后得到成品。

2.根據權利要求1所述的P型鈍化接觸太陽能電池的制作方法，其特征在于：高溫擴散步驟中氮氣帶動三氯氧磷充入擴散爐中，所述擴散爐中充入氧氣；氮氣流量：500-800sccm，氧氣流量：600-1000sccm，反應時間：80-100min，溫度：700-800℃，擴散方阻：110-130Ω。

3.根據權利要求2所述的P型鈍化接觸太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述正面去除介質步驟中，藥水為體積比1:160的KOH和H2O；體積比為3:1的HF和HON3藥水分別去除正面的P+型摻雜多晶硅薄膜繞鍍、磷硅玻璃和氮化硅掩膜。

4.根據權利要求3所述的P型鈍化接觸太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述正面氮化硅制備步驟，沉積溫度：450-550℃，一氧化二氮流量：200-800sccm，硅烷流量：1000-2000sccm，氨氣流量：3500-5000sccm，壓力：1500-2000pa，沉積時間：500-700s；厚度：80nm，折射率：2.09；

所述背面氮化硅制備步驟，沉積溫度：450-550℃，硅烷流量：1000-2000sccm，氨氣流量：3500-5000sccm，壓力：1500-2000pa，沉積時間：100-300s；厚度：75-80nm，折射率：2.06-2.15。

5.根據權利要求1所述的P型鈍化接觸太陽能電池的制作方法，其特征在于：高溫擴散步驟中氮氣帶動三溴化硼充入擴散爐中，所述擴散爐中充入氧氣；氮氣流量：500-800sccm，氧氣流量：600-1000sccm，反應時間：80-100min，溫度：700-800℃，擴散方阻：50-100Ω。