[發明專利]5G陶瓷連接器及應用技術

在審

• 申請號: 202011267504.1
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號: CN112332150A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 康文濤
• 申請（專利權）人: 婁底市安地亞斯電子陶瓷有限公司
• 主分類號: H01R13/514
• 分類號: H01R13/514;H01R13/6581;H01R13/533;B28B3/02;C04B35/10;C04B35/82;C04B35/622;C09J163/00;C09J11/04
• 代理公司: 北京成實知識產權代理有限公司 11724
• 代理人: 陳永虔

本發明公開了一種5G陶瓷連接器及應用技術，包括連接器主體、基部和殼體，所述基部的側面設置有舌板，舌板的上下兩端均設置有若干個連接端子，舌板上套設陶瓷件，陶瓷件的左右兩側均開設有非貫通的連接槽，舌板的端部設置有一對卡凸，舌板的末端通過卡凸卡接有限位托，基部、陶瓷件和限位托的外側套設有殼體，殼體的末端卡接有底基，底基與限位托之間設置有緊固栓。本發明采用模塊化連接組合式結構，便于連接組合，可以快速的更換各個指定的部件，且容易上手，學習成本低。

技術領域

本發明涉及一種連接器，具體是一種5G陶瓷連接器及應用技術。

背景技術

通信領域，連接器廣泛應用。設備內部，主要包括射頻連接器、電源連接器、背板連接器、印制電路板連接器等，用于電路板和模塊之間的光電互聯；基站單元之間，連接器主要用于基站天線、射頻拉遠單元、基帶處理單元等單元設備之間的連接，解決光電信號的輸入輸出和電力供應的問題。

隨著5G技術的快速普及，5G需求也帶來連接器的技術升級。5G低時延、高帶寬的傳輸特點下，數據傳輸量大幅提升，5G的流量密度提升到4G的100倍；5G基站小型化、集成化的特點下，連接器的所能占用的空間進一步壓縮，電磁干擾和散熱也成為重要問題；因此，5G對于連接器的密度、傳輸速率、散熱能力、抗電磁干擾能力以及可靠性都提出了更高的要求，連接器的價值量也進一步提升，即對連接器的要求也進一步提高。

但是，現有的連接器難以在極端環境下工作，耐熱性能較差、抗干擾性能弱，且不便于維護安裝和擴展。

因此，本發明提供了一種5G陶瓷連接器及應用技術，以解決上述背景技術中提出的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種5G陶瓷連接器及應用技術，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種5G陶瓷連接器，包括連接器主體、基部和殼體，所述基部的側面設置有舌板，舌板的上下兩端均設置有若干個連接端子，舌板上套設陶瓷件，陶瓷件的左右兩側均開設有非貫通的連接槽，舌板的端部設置有一對卡凸，舌板的末端通過卡凸卡接有限位托，基部、陶瓷件和限位托的外側套設有殼體，殼體的末端卡接有底基，底基與限位托之間設置有緊固栓。

作為本發明再進一步的方案：所述連接端子為條狀結構。

作為本發明再進一步的方案：所述殼體的左右兩側均設置有卡槽二、貫通孔和脫離槽，卡槽二位于貫通孔的兩側，脫離槽位于一側卡槽二的外側貫通孔的位置與連接槽的位置對齊。

作為本發明再進一步的方案：所述殼體的左右兩側均設置有連接板，連接板的一面或者兩面設置有擴展端子和擴展端子兩側的卡扣，擴展端子和卡扣的共同的周側設置有隔離環，卡扣與卡槽二卡接，擴展端子穿過貫通孔與連接槽電性連接。

作為本發明再進一步的方案：所述陶瓷件內前后貫通設置有穿槽，穿槽的內部設置有與連接端子相對應的接觸端子。

作為本發明再進一步的方案：所述限位托的左右兩側均開設有卡槽一，卡槽一與卡凸卡接，限位凸的后側開設有若干連接孔，連接孔與緊固栓連接。

作為本發明再進一步的方案：若干個所述連接器主體之間設置有連接板連接擴展。

作為本發明再進一步的方案：所述陶瓷件為三層結構，內側的陶瓷層一、中間的陶瓷膠和外側的陶瓷層二組成，陶瓷層一的組分及質量配比為：氧化鋁粉92-94％，高嶺土1.8-2.0％，碳酸鈣2.9-3.2％，二氧化硅1.3-1.4％，氮化硅粉體0.8-1.5％，陶瓷層二的組分及質量配比為：氧化鋁粉92-94％，高嶺土1.5-1.8％，碳酸鈣2.9-3.2％，二氧化鈦1.3-1.4％，氮化硼粉體0.8-1.5％，玻璃纖維粉1.0-1.5％，陶瓷膠中的組分為環氧樹脂60-80％，有機硅5-10％，玻璃纖維粉1-5％，陶瓷粉20-40％。