[發明專利]一種穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法有效
| 申請號： | 202011264134.6 | 申請日： | 2020-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN112501559B | 公開（公告）日： | 2022-03-29 |
| 發明（設計）人： | 倪俊;李輝;靳兆峰;祁松松;范秋林;李燦倫;景加榮;郭騰;喬宏 | 申請（專利權）人： | 上海衛星裝備研究所 |
| 主分類號： | C23C14/24 | 分類號： | C23C14/24;C23C14/20;C23C14/56;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02;B26F1/02 |
| 代理公司： | 上海段和段律師事務所 31334 | 代理人： | 陳少凌;郭國中 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 孔型 靜電 聚酰亞胺 薄膜 鍍鋁 二次 表面 制備 方法 | ||
1.一種穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
S1、在聚酰亞胺薄膜基材上制孔，得到帶孔聚酰亞胺薄膜；
S2、在帶孔聚酰亞胺薄膜的一個面上真空蒸發卷繞鍍金屬鋁反射層，得鍍鋁帶孔聚酰亞胺薄膜；
S3、在鍍鋁帶孔聚酰亞胺薄膜的非鍍鋁側磁控濺射卷繞鍍ITO導電層；在孔內的ITO導電層與金屬鋁反射層疊加。
2.根據權利要求1所述的穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜的厚度為12.5μm～50μm。
3.根據權利要求1所述的穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法，其特征在于，所述制孔的孔徑為1～5mm。
4.根據權利要求1所述的穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法，其特征在于，所述金屬鋁反射層的厚度為120～150nm。
5.根據權利要求1所述的穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法，其特征在于，所述ITO導電層的厚度為30～40nm。
6.根據權利要求1所述的穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述制孔是利用機械凹凸模切制孔技術在聚酰亞胺薄膜上進行的。
7.根據權利要求1或6所述的穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法，其特征在于，制孔過程中，通過精密重力感應器控制整體恒張力控制，確保聚酰亞胺薄膜表面在張力平衡制孔過程中不受影響。
8.根據權利要求7所述的穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法，其特征在于，所述整體恒張力控制為調節收卷15％～25％張力輸出。
9.根據權利要求1所述的穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法，其特征在于，步驟S2具體是在高真空環境下，通過卷對卷方式在帶孔聚酰亞胺薄膜的一個面上利用熱蒸發技術卷繞鍍制高純度金屬鋁反射層。
10.根據權利要求1所述的穿孔型防靜電聚酰亞胺薄膜鍍鋁二次表面鏡制備方法，其特征在于，步驟S3具體是在高真空環境下通過卷對卷方式在鍍鋁帶孔聚酰亞胺薄膜的非鍍鋁側磁控濺射卷繞鍍制ITO導電層。
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