[發(fā)明專利]用于制造薄膜封裝的設(shè)備以及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011260899.2 | 申請日: | 2013-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN112331591A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許明洙;李正浩;李勇錫 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L51/52;H01L51/56;B05D1/00 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制造 薄膜 封裝 設(shè)備 以及 方法 | ||
1.一種薄膜封裝制造設(shè)備,包括:
第一簇,配置成使用濺射工藝在顯示基板的相對電極上形成第一無機層;
第二簇,配置成使用單體沉積工藝在所述顯示基板上的所述第一無機層上形成第一有機層;以及
第三簇,配置成使用化學(xué)氣相沉積工藝或等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝在所述顯示基板上的所述第一有機層上形成第二無機層,
其中,沿著一個方向排列所述第一簇、所述第二簇和所述第三簇的順序,并且以相同順序分別在對應(yīng)的簇中形成所述第一無機層、所述第一有機層和所述第二無機層,
其中,所述薄膜封裝制造設(shè)備還包括卸載簇,所述卸載簇耦合到所述第三簇并且配置成移除從所述第三簇輸送的所述顯示基板,
其中,所述卸載簇包括傳輸腔室和多個卸載腔室,所述多個卸載腔室徑向安裝或耦合到所述傳輸腔室,以及進入到所述卸載簇的所述顯示基板為已完成的顯示基板,且所述已完成的顯示基板被從所述傳輸腔室輸送到所述多個卸載腔室之一中,
其中,所述卸載腔室中的每個被配置成,當(dāng)其中不存在所述已完成的顯示基板時,將進入到所述卸載簇的所述已完成的顯示基板隨機或以預(yù)定順序儲存在其中,
其中,所述第一簇和所述第二簇使用向下沉積方法分別形成所述第一無機層和所述第一有機層,并且所述第三簇使用向上沉積方法形成所述第二無機層,
其中,所述薄膜封裝制造設(shè)備還包括耦合到所述第二簇和所述第三簇的第一翻轉(zhuǎn)腔室,所述第一翻轉(zhuǎn)腔室翻轉(zhuǎn)所述顯示基板并將所述顯示基板從所述第二簇輸送到所述第三簇,以及
其中,所述薄膜封裝制造設(shè)備還包括耦合到所述第三簇和所述卸載簇的第二翻轉(zhuǎn)腔室,所述第二翻轉(zhuǎn)腔室翻轉(zhuǎn)所述顯示基板并將所述顯示基板從所述第三簇輸送到所述卸載簇。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜封裝制造設(shè)備,其中,
所述第一簇、所述第二簇和所述第三簇各自包括多個工藝腔室。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜封裝制造設(shè)備,其中,
沿著一個方向排列所述第一簇的多個工藝腔室、所述第二簇的多個工藝腔室和所述第三簇的多個工藝腔室的順序,并且以相同順序分別在對應(yīng)的工藝腔室中形成所述第一無機層、所述第一有機層和所述第二無機層。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜封裝制造設(shè)備,其中,
所述第一簇、所述第二簇和所述第三簇中的至少一個包括掩模儲存腔室。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜封裝制造設(shè)備,還包括:
第四簇,其被耦合到所述第三簇與所述卸載簇之間,并且配置成使用單體沉積工藝在所述顯示基板上的所述第二無機層上形成第二有機層。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜封裝制造設(shè)備,還包括:
第五簇,其被耦合到所述第四簇與所述卸載簇之間,并且配置成使用化學(xué)氣相沉積方法或等離子體增強化學(xué)氣相沉積方法在所述顯示基板上的所述第二有機層上形成第三無機層。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜封裝制造設(shè)備,其中,
所述第二簇和所述第三簇被交替地安裝。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜封裝制造設(shè)備,還包括以下腔室中的至少一種:
位于所述第一簇與所述第二簇之間并且配置成輸送所述顯示基板的通道腔室;和
耦合到所述第二簇并且配置成將所述顯示基板的輸入方向?qū)R的轉(zhuǎn)動模塊腔室。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜封裝制造設(shè)備,還包括:
第一多個通道腔室,位于所述第一簇與所述第二簇之間并且配置成輸送所述顯示基板;和
第一轉(zhuǎn)動模塊腔室,配置成將所述顯示基板的輸入方向?qū)R,
其中,所述第一多個通道腔室耦合到所述第一轉(zhuǎn)動模塊腔室的相對的兩側(cè)以將所述第一簇耦合到所述第二簇。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





