[發明專利]鑄造單晶硅籽晶的鋪設方法、晶體硅錠及晶體硅錠切割開方方法

在審

• 申請號: 202011260883.1
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN112251803A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 黎金香
• 申請（專利權）人: 黎金香
• 主分類號: C30B11/14
• 分類號: C30B11/14;C30B29/06
• 代理公司: 南京鐘山專利代理有限公司 32252
• 代理人: 王楠

1.一種鑄造單晶硅籽晶的鋪設方法，其特征在于，

所述單晶硅籽晶的個數為2個或2個以上；

所述單晶硅籽晶鋪設時，相鄰兩塊單晶硅籽晶之間形成若干個拼接縫Ⅰ；

相鄰兩塊單晶硅籽晶的110晶向分別成銳角α和β斜向上指向拼接縫Ⅰ；

所述拼接縫Ⅰ規律分布；

所述α和β均小于45°。

2.一種鑄造單晶硅籽晶的鋪設方法，其特征在于，

所述單晶硅籽晶的個數為2個或2個以上；

所述單晶硅籽晶鋪設時，相鄰兩塊單晶硅籽晶之間形成若干個拼接縫，拼接縫包括拼接縫Ⅰ和拼接縫Ⅱ，所述拼接縫Ⅰ和拼接縫Ⅱ有規律地間隔分布；

相鄰兩塊單晶硅籽晶的110晶向分別成銳角α和β斜向上指向拼接縫Ⅰ，相鄰兩塊單晶硅籽晶的110晶向分別成銳角α和β斜向上遠離拼接縫Ⅱ；

所述α和β均小于45°。

3.一種晶體硅錠，其特征在于，所述晶體硅錠根據權利要求1或2所述的單晶硅籽晶鋪設方法鋪設單晶硅籽晶，鋪設完成后，在籽晶上裝填硅料，放入晶體生長設備；加熱籽晶及硅料，使單晶硅籽晶的一部分及籽晶以上的所有硅料熔化，再通過定向凝固的方法獲得。

4.一種晶體硅錠，其特征在于，所述晶體硅錠包含若干條受兩側籽晶的110晶向成銳角α和β斜向上指向的拼接縫Ⅰ；所述α和β均小于45°；在晶體生長過程中，拼接縫Ⅰ之上晶體硅錠內部形成對應上方區域；

所述拼接縫Ⅰ的上方區域，在與拼接縫垂直的晶體硅錠縱切面上呈現為沿拼接縫Ⅰ向上延伸的線形；所述線形為直線或曲線；所述線條寬度為0-10mm；

所述線形在與籽晶拼接縫垂直的晶體硅錠縱切面上有規律地分布。

5.一種晶體硅錠，其特征在于，所述晶體硅錠包含若干條間隔分布的受兩側籽晶的110晶向成銳角α和β斜向上指向和斜向上遠離的拼接縫Ⅰ和拼接縫Ⅱ；所述α和β均小于45°；在晶體生長過程中，拼接縫Ⅰ和拼接縫Ⅱ之上晶體硅錠內部分別形成對應上方區域；

所述拼接縫Ⅰ的上方區域，在與拼接縫垂直的晶體硅錠縱切面上呈現為沿拼接縫Ⅰ向上延伸的線形，所述線形為直線或曲線；所述線條寬度為0-10mm；

所述拼接縫Ⅱ的上方區域，在與拼接縫垂直的晶體硅錠縱切面上呈現為沿拼接縫Ⅱ向上延伸的不規則倒三角形；所述三角形區域中分布有多個晶粒和晶界；所述三角形區域上部寬度為10-160mm；

所述線形和三角形在與籽晶拼接縫垂直的晶體硅錠縱切面上有規律地間隔分布。

6.一種晶體硅錠，其特征在于，所述晶體硅錠包含若干條受兩側籽晶的110晶向成銳角α和β斜向上指向的拼接縫Ⅰ；所述α和β均小于45°；在晶體生長過程中，拼接縫Ⅰ之上晶體硅錠上表面形成對應區域；

所述拼接縫Ⅰ之上晶體硅錠上表面的對應區域，呈現為與籽晶拼接縫Ⅰ平行的線形，所述線形為直線或曲線；所述線條寬度為0-10mm；

所述線形在晶體硅錠上表面有規律地分布。

7.一種晶體硅錠，其特征在于，所述晶體硅錠包含若干條間隔分布的受兩側籽晶的110晶向成銳角α和β斜向上指向和斜向上遠離的拼接縫Ⅰ和拼接縫Ⅱ；所述α和β均小于45°；在晶體生長過程中，拼接縫Ⅰ和拼接縫Ⅱ之上晶體硅錠上表面分別形成對應區域；

所述拼接縫Ⅰ之上晶體硅錠上表面的對應區域，呈現為與籽晶拼接縫Ⅰ平行的線形，所述線形為直線或曲線；所述線條寬度為0-10mm；

所述拼接縫Ⅱ之上晶體硅錠上表面的對應區域，呈現為與籽晶拼接縫Ⅱ方向一致的條形；所述條形寬度10-160mm；所述條形區域中分布著多個晶粒和晶界；

所述線形和條形在晶體硅錠上表面有規律地間隔分布。

8.一種晶體硅錠切割開方方法，其特征在于，所述切割開方方法包括晶體硅錠開方成塊、去除硅錠邊皮不良區域、去除硅錠頭尾不良區域，以及去除硅錠中的不規則倒三角形區域或條形區域；所述切割開方可以采用線鋸、帶鋸或圓刀片切割中的一種或多種組合使用；所述切割開方的各工序可以進行不同組合和排序。