[發(fā)明專利]像素電路及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011260555.1
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN112365846B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓志斌
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 高楊麗

1.一種像素電路，用于驅(qū)動發(fā)光元件，其特征在于，包括數(shù)據(jù)寫入晶體管、復(fù)位檢測晶體管、用于產(chǎn)生驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管、以及用于拉高所述驅(qū)動晶體管柵極起亮電壓的電壓保持單元；

所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的柵極連接至第一驅(qū)動信號，所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第一電極連接至數(shù)據(jù)電壓，所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第二電極連接至所述驅(qū)動晶體管的柵極；

所述驅(qū)動晶體管的第一電極連接至陽極電壓，所述驅(qū)動晶體管的第二電極連接至所述驅(qū)動發(fā)光元件的第一端，所述發(fā)光元件的第二端連接至陰極電壓；

所述復(fù)位檢測晶體管的柵極連接至第二驅(qū)動信號，所述復(fù)位檢測晶體管的第一電極連接至復(fù)位檢測信號線，所述復(fù)位檢測晶體管的第二電極并聯(lián)至所述驅(qū)動晶體管的第二電極與所述驅(qū)動發(fā)光元件的第一端之間；

所述電壓保持單元并聯(lián)至所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第二電極與所述驅(qū)動晶體管的柵極之間；

所述電壓保持單元包括一電壓保持電容，所述電壓保持電容的第一端并聯(lián)至所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第二電極與所述驅(qū)動晶體管的柵極之間，所述電壓保持電容的第二端接地；

所述電壓保持電容的電容值為200fF。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路驅(qū)動至少包括數(shù)據(jù)寫入階段和數(shù)據(jù)寫入關(guān)閉階段；

在所述數(shù)據(jù)寫入階段，驅(qū)動所述數(shù)據(jù)寫入晶體管、所述復(fù)位檢測晶體管和所述驅(qū)動晶體管導(dǎo)通；

在所述數(shù)據(jù)寫入關(guān)閉階段，驅(qū)動所述數(shù)據(jù)寫入晶體管和所述復(fù)位檢測晶體管關(guān)閉。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)寫入關(guān)閉階段，所述驅(qū)動晶體管的柵極一端的電容值與所述驅(qū)動晶體管的第二電極一端的電容值之差在一閾值電容范圍內(nèi)，所述驅(qū)動晶體管的柵極一端與所述驅(qū)動晶體管的第二電極一端的電壓差小于等于0.1V。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)寫入關(guān)閉階段，所述驅(qū)動晶體管的柵極一端的電容值等于所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的寄生電容的電容值與所述電壓保持電容的電容值之和。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)寫入關(guān)閉階段，所述驅(qū)動晶體管的第二電極一端的電容值等于所述復(fù)位檢測晶體管的寄生電容的電容值與所述發(fā)光元件的本征電容的電容值之和。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)寫入關(guān)閉階段，所述電壓保持電容的電容值與所述發(fā)光元件的本征電容的電容值之差小于等于20fF。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入晶體管、復(fù)位檢測晶體管和所述驅(qū)動晶體管均為P型晶體管。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至7任一項所述的像素電路。