[發明專利]一種用于干燥晶圓的方法及干燥設備在審
| 申請號： | 202011257946.8 | 申請日： | 2020-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN114496719A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發明（設計）人： | 尹洪權;盧一泓;胡艷鵬;李琳 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 干燥 方法 干燥設備 | ||
1.一種用于干燥晶圓的方法，其特征在于，應用在干燥設備中，所述干燥設備中設置有至少兩個異丙醇IPA噴頭；所述方法包括：
調節每個所述IPA噴頭對應的噴灑角度及噴灑位置；各所述噴灑角度及各所述噴灑位置用于對所述晶圓表面的不同區域進行噴灑；
當對所述晶圓進行清洗或濕法腐蝕后，控制至少兩個所述IPA噴頭開啟，利用噴灑的所述IPA對所述晶圓進行干燥。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在利用噴灑的所述IPA對所述晶圓進行干燥時，控制所述晶圓的旋轉速度為5～4000rpm。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在利用噴灑的所述IPA對所述晶圓進行干燥時，控制每個所述IPA噴頭噴灑的IPA流量為10cc/min～1L/min。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在利用噴灑的所述IPA對所述晶圓進行干燥時，控制所述IPA的溫度為20～80℃。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在利用噴灑的所述IPA對所述晶圓進行干燥時，所述IPA的溫度范圍為70～76℃。
6.一種用于干燥晶圓的干燥設備，其特征在于，所述干燥設備中設置有至少兩個異丙醇IPA噴頭，所述干燥設備包括：
調節單元，用于調節每個所述IPA噴頭對應的噴灑角度及噴灑位置；各所述噴灑角度及各所述噴灑位置用于對所述晶圓表面的不同區域進行噴灑；
第一控制單元，當對所述晶圓進行清洗或濕法腐蝕后，控制至少兩個所述IPA噴頭開啟，利用噴灑的所述IPA對所述晶圓進行干燥。
7.如權利要求6所述的干燥設備，其特征在于，所述干燥設備還包括：第二控制單元，所述第二控制單元用于：
在利用噴灑的所述IPA對所述晶圓進行干燥時，控制所述晶圓的旋轉速度為5～4000rpm。
8.如權利要求6所述的干燥設備，其特征在于，所述控制單元還用于：
在利用噴灑的所述IPA對所述晶圓進行干燥時，控制每個所述IPA噴頭噴灑的IPA流量為10cc/min～1L/min。
9.如權利要求6所述的干燥設備，其特征在于，所述控制單元還用于：
在利用噴灑的所述IPA對所述晶圓進行干燥時，控制所述IPA的溫度為20～80℃。
10.如權利要求9所述的干燥設備，其特征在于，所述控制單元具體還用于：
在利用噴灑的所述IPA對所述晶圓進行干燥時，控制所述IPA的溫度范圍為70～76℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
