[發(fā)明專利]聲波器件的制作方法及聲波器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011253740.8
• 申請(qǐng)日: 2020-11-11
• 公開（公告）號(hào): CN112532200A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖珮淳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢衍熙微器件有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/02
• 分類號(hào): H03H9/02
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 王軍紅;張穎玲

1.一種聲波器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一襯底；其中，所述第一襯底表面的器件區(qū)用于承載諧振單元；

提供第二襯底；其中，所述第二襯底包括層疊設(shè)置的支撐層和保護(hù)層；

在所述支撐層中對(duì)應(yīng)于所述器件區(qū)位置，形成貫穿所述支撐層的第一通孔；其中，所述第一通孔的開口尺寸大于所述器件區(qū)的尺寸；

鍵合所述第一襯底和所述第二襯底；其中，所述第一通孔用于容納所述諧振單元；

所述方法還包括以下之一：

在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之前，在所述第一襯底上形成所述諧振單元的反射結(jié)構(gòu)，并對(duì)所述諧振單元進(jìn)行調(diào)頻處理；

在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之前，在所述第一襯底上形成所述反射結(jié)構(gòu)；在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之后，對(duì)所述諧振單元進(jìn)行調(diào)頻處理；

在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之后，在所述第一襯底上形成所述反射結(jié)構(gòu)，并對(duì)所述諧振單元進(jìn)行調(diào)頻處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之前，所述方法還包括：

在所述第一襯底的所述器件區(qū)，依次形成第一犧牲層、覆蓋所述第一犧牲層的第一電極層、覆蓋所述第一電極層的壓電層、覆蓋所述壓電層的第二電極層，以及覆蓋所述第二電極層的調(diào)整層；

所述在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之前，在所述第一襯底上形成所述諧振單元的反射結(jié)構(gòu)，包括：在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之前，去除所述第一犧牲層，基于所述第一犧牲層的形貌在所述第一電極層和所述第一襯底表面之間形成所述反射結(jié)構(gòu)；

所述對(duì)所述諧振單元進(jìn)行調(diào)頻處理，包括：修整所述調(diào)整層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之后，對(duì)所述諧振單元進(jìn)行調(diào)頻處理，包括：

利用穿過所述保護(hù)層的第一激光修整所述調(diào)整層；其中，所述保護(hù)層、所述支撐層和所述第一襯底形成密封的腔體。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，

在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之后，所述方法還包括：形成貫穿所述保護(hù)層的第二通孔；其中，所述第二通孔與所述第一通孔連通，所述器件區(qū)通過所述第二通孔和所述第一通孔顯露；

所述在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之后，在所述第一襯底上形成所述諧振單元的反射結(jié)構(gòu)，包括：通過所述第二通孔和所述第一通孔，去除所述第一犧牲層，以形成所述反射結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，

在形成所述反射結(jié)構(gòu)之后，所述方法還包括：在所述保護(hù)層上形成覆蓋所述第二通孔開口的封裝層；其中，所述封裝層、所述保護(hù)層、所述支撐層和所述第一襯底形成密封的腔體；

所述在鍵合所述第一襯底和所述第二襯底之后，對(duì)所述諧振單元進(jìn)行調(diào)頻處理，包括：

在形成所述封裝層之前，修整通過所述第二通孔和所述第一通孔顯露的所述調(diào)整層；或者，在形成所述封裝層之后，利用穿過所述封裝層的第二激光修整所述調(diào)整層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述方法還包括：在所述第一襯底上的所述器件區(qū)周圍形成第一鍵合墊；在所述第二襯底上，在所述第一通孔的開口周圍形成第二鍵合墊；

所述鍵合所述第一襯底和所述第二襯底，包括：對(duì)準(zhǔn)并鍵合所述第一鍵合墊和所述第二鍵合墊，以鍵合所述第一襯底和所述第二襯底。

7.一種聲波器件，其特征在于，應(yīng)用如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法制作而成，所述器件包括：

鍵合的第一襯底和第二襯底；

諧振單元，位于所述第一襯底表面的器件區(qū)；

所述第二襯底，包括層疊設(shè)置的支撐層和保護(hù)層；其中，所述支撐層與所述第一襯底鍵合，所述支撐層包括在對(duì)應(yīng)于所述器件區(qū)的位置貫穿所述支撐層的第一通孔，所述諧振單元位于所述第一通孔內(nèi)。