[發明專利]一種二硫化鉬薄膜輔助的熱光調制器在審
| 申請號: | 202011251586.0 | 申請日: | 2020-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN112526771A | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發明(設計)人: | 甘雪濤;黎志文 | 申請(專利權)人: | 西北工業大學 |
| 主分類號: | G02F1/01 | 分類號: | G02F1/01 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710072 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 二硫化鉬 薄膜 輔助 調制器 | ||
1.一種二硫化鉬薄膜輔助的熱光調制器,其特征在于包括二硫化鉬薄膜(1)、微環諧振腔(2)、總線波導(3)以及兩個金屬電極(4、5)。
2.根據權利要求1所述二硫化鉬薄膜輔助的熱光調制器,其特征在于:所述二硫化鉬薄膜(1)集成于所述微環諧振腔(2)的上表面,所述金屬電極(4、5)分別覆蓋于所述微環諧振腔(2)內外兩側的所述二硫化鉬薄膜(1)上。
3.根據權利要求1所述二硫化鉬薄膜輔助的熱光調制器,其特征在于:所述微環諧振腔(2)與所述總線波導(3)之間存在間隙,相互采用側向耦合的方式進行光信號的耦合。
4.根據權利要求1所述二硫化鉬薄膜輔助的熱光調制器,所述二硫化鉬薄膜(1)也可以是其他帶隙大于0.9電子伏特的二維半導體層狀材料。
5.根據權利要求1所述二硫化鉬薄膜輔助的熱光調制器,所述二硫化鉬薄膜(1)覆蓋于所述微環諧振腔(2)上表面;所述兩個金屬電極(4、5)分別覆蓋于所述微環諧振腔(2)內外兩側的所述二硫化鉬薄膜(1)表面;施加在所述金屬電極(4、5)上的電偏壓將使得所述二硫化鉬薄膜(1)中產生焦耳熱,并通過熱傳導傳遞到所述微環諧振腔(2)中;所述微環諧振腔(2)吸收熱量后發生溫度升高,并通過熱光效應使得微環諧振腔的諧振波長發生移動;通過移動所述微環諧振腔(2)的諧振波長,使得信號光波長與微環諧振腔的諧振波長重合與否,可以實現信號光在所述總線波導(3)輸出端的輸出光功率變化,從而實現調制功能。
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