[發(fā)明專利]一種發(fā)光模塊、發(fā)光面板及發(fā)光面板亮度均一處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011248456.1
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112365812A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設計）人: 封揚
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;G09G3/32
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 娜拉

本申請公開了一種發(fā)光模塊、發(fā)光面板及發(fā)光面板亮度均一處理方法，屬于顯示技術領域，其中，發(fā)光模塊包括：發(fā)光單元；光傳感器單元，用于檢測所述發(fā)光單元的亮度；電阻調(diào)制單元，其與所述發(fā)光單元串接，用于根據(jù)所述光傳感器單元的檢測結(jié)果，改變所述發(fā)光單元的串接電路阻值，從而改變所述發(fā)光單元的亮度。實現(xiàn)了發(fā)光模塊的亮度可以隨著周圍的亮度變化而改變，進而解決了相同灰階下不同發(fā)光單元的亮度存在差異的問題，該模塊結(jié)構簡單、易于實現(xiàn)。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種發(fā)光模塊、顯示面板及顯示面板亮度均一處理方法。

背景技術

由于鍵合層、轉(zhuǎn)移芯片以及低溫多晶硅不同區(qū)域的差異會導致微型發(fā)光二極管顯示面板在相同灰階下不同發(fā)光單元的亮度存在差異。

相關技術中，提高均一性的方式是通過外部集成電路補償來實現(xiàn)。然而，每個微型發(fā)光二極管陰陽極的鍵合層金屬電阻都可能存在差異，需要外部集成電路對每個子像素實現(xiàn)補償，即信號輸出集成電路按照行選擇生成單元的時序，同時通過數(shù)據(jù)信號連接對每一列每一行的像素驅(qū)動單元進行補償，算法較為復雜，難以實現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例的目的是提供一種發(fā)光模塊、顯示面板及顯示面板亮度均一處理方法，以至少解決現(xiàn)有相同灰階下不同發(fā)光單元的亮度存在差異的問題。

本申請的技術方案如下：

根據(jù)本申請實施例的第一方面，提供一種發(fā)光模塊，包括：發(fā)光單元；光傳感器單元，用于檢測發(fā)光單元的亮度；電阻調(diào)制單元，其與發(fā)光單元串接，用于根據(jù)光傳感器單元的檢測結(jié)果，改變發(fā)光單元的串接電路阻值，從而改變發(fā)光單元的亮度。

進一步地，還包括：驅(qū)動控制單元，其與發(fā)光單元及電阻調(diào)制單元串接在第一電源端和第二電源端之間，用于驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光。

進一步地，驅(qū)動控制單元的一端與第一電源端連接，驅(qū)動控制單元的另一端與電阻調(diào)制單元的一端連接，電阻調(diào)制單元的另一端與發(fā)光單元的陽極連接，發(fā)光單元的陰極與第二電源端連接。

進一步地，還包括：存儲單元，其串接在光傳感器單元與電阻調(diào)制單元之間，用于存儲電阻調(diào)制單元調(diào)節(jié)發(fā)光單元至預設亮度的阻值。

進一步地，電阻調(diào)制單元為多值存儲器；多值存儲器包括晶體管，多值存儲器用于調(diào)節(jié)晶體管的柵極寫入電壓的幅值或柵極寫入電壓的脈寬時長，從而調(diào)節(jié)發(fā)光單元串接電路的阻值。

進一步地，發(fā)光單元為mini-LED或micro-LED。

根據(jù)本申請實施例的第二方面，提供一種顯示面板，該顯示面板包括：第一方面任一項實施例所示的發(fā)光模塊。

進一步地，還包括：比較模塊，用于比較預設灰階下目標發(fā)光模塊與參照光源的亮度差別；目標發(fā)光模塊的電阻調(diào)制單元基于亮度差別，調(diào)節(jié)目標發(fā)光模塊的發(fā)光單元串接電路阻值，以使目標發(fā)光模塊與參照光源在預設灰階下的亮度均一。

進一步地，比較模塊包括：第一放大器，用于放大第一電信號，第一電信號為目標發(fā)光模塊的亮度信號轉(zhuǎn)換成的電信號；第二放大器，用于放大第二電信號，第二電信號為參照光源的亮度信號轉(zhuǎn)換成的電信號；比較器，用于比較第一電信號與第二電信號的差別，從而得到預設灰階下目標發(fā)光模塊與參照光源的亮度差別。

進一步地，存儲單元，用于存儲使目標發(fā)光模塊與參照光源在預設灰階下的亮度均一的電阻矯正值，電阻矯正值用于指示目標發(fā)光模塊的電阻調(diào)制單元在目標發(fā)光模塊再一次處于預設灰階條件下調(diào)節(jié)目標發(fā)光模塊串接電路的阻值。

進一步地，在存儲單元存儲電阻矯正值之后，比較模塊，還用于間隔預設時長再次比較預設灰階下目標發(fā)光模塊與參照光源的亮度差別。