[發明專利]立式熱處理設備有效
| 申請號: | 202011247176.9 | 申請日: | 2020-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN112490147B | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發明(設計)人: | 楊帥;楊慧萍 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 立式 熱處理 設備 | ||
1.一種立式熱處理設備,用于對待加工工件進行熱處理工藝,包括:機箱、工藝腔室和加熱腔室,所述加熱腔室和所述工藝腔室均固定設置于所述機箱的頂部,且所述工藝腔室位于所述加熱腔室內,所述工藝腔室用于容置所述待加工工件,其特征在于:
所述立式熱處理設備還包括檢測組件,所述檢測組件包括發射傳感器,所述發射傳感器設置于所述加熱腔室的頂部,所述機箱內部的底面上相對所述發射傳感器設置有第一反射部;
所述工藝腔室的頂部具有透光部及第一遮光部,所述透光部位于所述發射傳感器發射的光束的路徑上,所述第一遮光部環繞所述透光部設置;通過判斷所述發射傳感器是否能接收到所述第一反射部反射的光束,用以檢測所述工藝腔室是否與所述加熱腔室同心設置。
2.如權利要求1所述的立式熱處理設備,其特征在于,所述立式熱處理設備還包括晶舟及工藝門,所述晶舟用于承載所述待加工工件,所述晶舟設置于所述工藝門上,用于通過所述工藝門移入或者移出所述工藝腔室;
所述晶舟包括頂板,所述頂板上相對所述發射傳感器設置有第二反射部,第二遮光部環繞所述第二反射部設置;
通過判斷所述發射傳感器是否能接收到所述第二反射部反射的光束,用以檢測所述晶舟與所述工藝腔室及所述加熱腔室是否同心設置。
3.如權利要求2所述的立式熱處理設備,其特征在于,所述工藝腔室的頂部設有進氣孔,所述進氣孔用于通入工藝氣體;
所述頂板上表面具有導流面,所述導流面用于對從所述進氣孔通入的所述工藝氣體進行導流,以使所述工藝氣體經所述晶舟的頂部分流至所述晶舟的側部。
4.如權利要求3所述的立式熱處理設備,其特征在于,所述導流面為圓臺面,所述第二反射部設置于所述圓臺面的頂部平面上,所述第二遮光部設置于所述圓臺面的側面上;所述發射傳感器設于所述加熱腔室的頂部居中位置。
5.如權利要求2所述的立式熱處理設備,其特征在于,所述頂板為石英材質,所述頂板上表面采用噴砂方式處理以形成所述第二遮光部。
6.如權利要求1所述的立式熱處理設備,其特征在于,所述加熱腔室的頂壁上設置有通光孔,所述發射傳感器對應設置在所述通光孔位置處,并且所述發射傳感器通過所述通光孔發射并接收光束。
7.如權利要求6所述的立式熱處理設備,其特征在于,所述頂壁包括層疊設置的外罩及保溫板,所述保溫板靠近所述工藝腔室設置,所述發射傳感器設置于所述外罩及所述保溫板之間,并且所述通光孔設置于所述保溫板上。
8.如權利要求6所述的立式熱處理設備,其特征在于,所述通光孔的直徑大于所述發射傳感器的光束直徑,并且所述通光孔的孔徑與所述發射傳感器的光束直徑對應設置。
9.如權利要求2所述的立式熱處理設備,其特征在于,所述第一反射部為設置于所述機箱上的反光涂層或者反光板,所述第二反射部為設置于所述晶舟頂部的反光涂層或者反光板。
10.如權利要求1至9任意一項所述的立式熱處理設備,其特征在于,所述工藝腔室為透明石英材質制成,所述工藝腔室的頂部為弧面,且所述第一遮光部采用噴砂方式形成于所述工藝腔室的頂面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





