[發明專利]激光裝置

有效

• 申請號: 202011244036.6
• 申請日: 2016-09-08
• 公開（公告）號: CN112366500B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 淺山武志;增田浩幸
• 申請（專利權）人: 極光先進雷射株式會社
• 主分類號: H01S3/036
• 分類號: H01S3/036;H01S3/038;H01S3/097
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于英慧;黃綸偉

激光裝置具有：腔室，其在內部配置有一對放電電極；氣體供給排放裝置，其向所述腔室的內部供給激光氣體，并排放所述腔室的內部的激光氣體；以及控制部，其構成為進行第1控制和第2控制，在該第1控制中，對所述氣體供給排放裝置進行控制，以一邊進行激光振蕩，一邊向所述腔室內供給第1量的激光氣體或從所述腔室內排放第1量的激光氣體，在該第2控制中，對所述氣體供給排放裝置進行控制，以在所述第1控制之前，一邊進行所述激光振蕩，一邊向所述腔室內供給比所述第1量多的第2量的激光氣體或從所述腔室內排放所述第2量的激光氣體。

本申請是基于發明名稱為“激光裝置”，申請日為2016年9月8日，申請號為201680088582.0(國際申請號為PCT/JP2016/076521)的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本公開涉及激光裝置。

背景技術

隨著半導體集成電路的微細化、高集成化，在半導體曝光裝置中要求分辨率的提高。下面，將半導體曝光裝置簡稱為“曝光裝置”。因此，正在推進從曝光用光源輸出的光的短波長化。在曝光用光源中，代替現有的水銀燈而使用氣體激光裝置。當前，作為曝光用的氣體激光裝置，使用輸出波長為248nm的紫外線的KrF準分子激光裝置、以及輸出波長為193nm的紫外線的ArF準分子激光裝置。

作為當前的曝光技術，如下的液浸曝光已經實用化：利用液體填滿曝光裝置側的投影透鏡與晶片之間的間隙，改變該間隙的折射率，由此使曝光用光源的外觀波長變短。在使用ArF準分子激光裝置作為曝光用光源進行液浸曝光的情況下，對晶片照射水中的波長為134nm的紫外光。將該技術稱為ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被稱為ArF液浸蝕刻。

KrF、ArF準分子激光裝置的自然振蕩中的光譜線寬度較寬，大約為350～400pm，因此，通過曝光裝置側的投影透鏡縮小地投影到晶片上的激光(紫外線光)產生色差，分辨率降低。因此，需要對從氣體激光裝置輸出的激光的光譜線寬度進行窄帶化，直到成為能夠忽略色差的程度為止。光譜線寬度也被稱為光譜寬度。因此，在氣體激光裝置的激光諧振器內設置具有窄帶化元件的窄帶化光學系統(Line Narrow Module)，通過該窄帶化光學系統實現光譜寬度的窄帶化。另外，窄帶化元件可以是標準具或光柵等。將這樣對光譜寬度進行窄帶化而得到的激光裝置稱為窄帶化激光裝置。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：美國專利申請公開2006/0239322號說明書

專利文獻2：日本特開2002-208746號公報

專利文獻3：美國專利申請公開2008/0115342號說明書

發明內容

本公開的一個觀點的激光裝置具有：腔室，其在內部配置有一對放電電極；氣體供給排放裝置，其向腔室的內部供給激光氣體，并排放腔室的內部的激光氣體；以及控制部，其構成為進行第1控制和第2控制，在該第1控制中，對氣體供給排放裝置進行控制，以一邊進行激光振蕩，一邊向腔室內供給第1量的激光氣體或從腔室內排放第1量的激光氣體，在該第2控制中，對氣體供給排放裝置進行控制，以在第1控制之前，一邊進行激光振蕩，一邊向腔室內供給比第1量多的第2量的激光氣體或從腔室內排放所述第2量的激光氣體。

附圖說明

下面，參照附圖將本公開的若干個實施方式作為簡單例子進行說明。

圖1概略地示出比較例的激光裝置的結構。

圖2是示出比較例的激光裝置的激光控制部30進行的能量控制的流程圖。

圖3是示出比較例的準分子激光裝置的氣體控制部32進行的激光氣體控制的處理的流程圖。

圖4是示出圖3所示的全部氣體更換的處理的詳細情況的流程圖。