[發明專利]一種高性能陶瓷基板的制備方法

在審

• 申請號: 202011241955.8
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112358321A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 謝麗娟
• 申請（專利權）人: 廣州市勝翰計算機配件有限公司
• 主分類號: C04B41/81
• 分類號: C04B41/81
• 代理公司: 合肥正則元起專利代理事務所(普通合伙) 34160
• 代理人: 周衛

本發明公開了一種高性能陶瓷基板的制備方法，該高性能陶瓷基板在加工過程中通過設置加工臺進行壓制，所述加工臺包括設置在臺面上的L型豎板，所述加工臺的臺面上固定設置有壓制機構，所述L型豎板上且位于壓制機構的一側固定設置有基板導向機構，所述基板導向機構的左側固定設置有基板傳送架，所述基板傳送架固定設置在L型豎板上，所述L型豎板上且位于基板傳送架的上下兩側分別設置有上銅箔導向機構和下銅箔導向機構，即通過基板導向機構對高性能陶瓷基板多層結構預壓成型，并將預壓成型后的高性能陶瓷基板移動到壓制機構上熱壓成型，使該加工臺一次加工實現高性能陶瓷基板的多層成型，極大的提高了高性能陶瓷基板的加工效率。

技術領域

本發明屬于陶瓷電路基板技術領域，具體是一種高性能陶瓷基板的制備方法。

背景技術

隨著低介電常數性與低介質損耗因數的基材在PCB加工中應用趨于廣泛，研究陶瓷基板工藝技術越來越重要，由于與普通PCB相比在基材和使用環境的不同，在工程制造中孔金屬化、控制基材收縮、阻抗控制和表面涂覆等方面有著特殊的工藝技術。陶瓷基板應用于高頻領域的電子基板-高頻板是在特定的基材覆銅板上利用印制板制造方法生產出來的微波器件。

如專利申請號201310033175.8公開一種LTCC用陶瓷基板的制備方法，包括下述步驟：1預燒料的制備；2玻璃添加料的制備；3混合料的制備；4造粒料的制備；5生坯的制備；6燒結體的制備；7成品的制備。通過配方各原料的優化設計，特別是通過玻璃添加料中各組分的材料選擇和配比優化，能夠有效降低生坯的燒結溫度，在較低的燒結溫度和較寬的燒結溫度區間內制得LTCC用陶瓷基板，使得產品的應用更廣泛，但是現有的高性能陶瓷基板在制備過程中仍存在以下不足：

1、現有的高性能陶瓷基板通常是通過多層結構壓制而成，而現有的壓制設備通常只能對高性能陶瓷基板單層壓制，導致高性能陶瓷基板的制備效率低；

2、現有的高性能陶瓷基板在使用過程中防靜電能力差，高性能陶瓷基板力學性能低，使用年限短。

發明內容

本發明的目的在于提供一種高性能陶瓷基板的制備方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種高性能陶瓷基板的制備方法，包括以下步驟：

步驟一：將聚四氟乙烯粉末和低溫共燒陶瓷粉末按比例為6:1-1:3配制，并結合介質層厚度要求進行混合，經球磨機球磨15-20小時形成基板介質材料，并將基板介質材料置于模具中經溫度為350-370℃壓合形成基板介質材料層，備用；

步驟二：選取厚度為8μm的低溫陶瓷片放入聚四氟乙烯分散液內經浸膠機進行預浸漬，然后經溫度為330-350℃燒結，從而制得陶瓷粘結片，備用；

步驟三：選取兩片步驟二中得到的陶瓷粘結片，將兩片陶瓷粘結片分別設置在步驟一中基板介質材料層的頂面和底面上，并將貼合的陶瓷粘結片和基板介質材料層經溫度為320-340℃壓合形成陶瓷基板中間體；

步驟四：在陶瓷基板中間體的頂面和底面上分別涂覆防靜電水性涂料，并將涂覆防靜電水性涂料的陶瓷基板中間體放置在加工臺的基板傳送架上，通過基板傳送架將陶瓷基板中間體傳送到基板導向機構，并通過加工臺上的上銅箔導向機構和下銅箔導向機構分別將銅箔導入基板導向機構，使陶瓷基板中間體與上下兩側的銅箔在基板導向機構進行初步壓制，得到高性能陶瓷基板粗坯；