[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011238738.3
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112802839A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 清水和宏;川崎裕二;今坂俊博;吉野學(xué)
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/06
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置，其向充電對象元件供給充電電流，

該半導(dǎo)體裝置具有：

第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層；

第2導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域，其與所述充電對象元件的第1電極電連接，形成于所述半導(dǎo)體層的主表面；

第1導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域，其在所述半導(dǎo)體層的主表面形成于與所述第1半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的位置；

所述第2導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域，其被供給電源電壓，形成于所述第2半導(dǎo)體區(qū)域的表面；

源極電極，其與所述第3半導(dǎo)體區(qū)域連接并且被供給所述電源電壓；

漏極電極，其與所述第1半導(dǎo)體區(qū)域連接并且與所述第1電極電連接；

背柵極電極，其在所述第2半導(dǎo)體區(qū)域連接至與所述第3半導(dǎo)體區(qū)域分離的區(qū)域，并且接地；以及

柵極電極，其以隔著柵極絕緣膜與溝道區(qū)域相對的方式配置，該溝道區(qū)域位于所述第3半導(dǎo)體區(qū)域與所述第1半導(dǎo)體區(qū)域之間的所述第2半導(dǎo)體區(qū)域，

所述源極電極與所述背柵極電極之間的耐壓大于所述電源電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體裝置具有所述第2導(dǎo)電型的第4半導(dǎo)體區(qū)域，該第4半導(dǎo)體區(qū)域在所述第2半導(dǎo)體區(qū)域?qū)⑺龅?半導(dǎo)體區(qū)域的周圍包圍，并且將所述第3半導(dǎo)體區(qū)域與所述第2半導(dǎo)體區(qū)域隔離，

所述第4半導(dǎo)體區(qū)域從所述第3半導(dǎo)體區(qū)域的周圍延伸至在所述第2半導(dǎo)體區(qū)域處與所述第1半導(dǎo)體區(qū)域相對并且與所述第1半導(dǎo)體區(qū)域分離的區(qū)域，

所述溝道區(qū)域是在所述第2半導(dǎo)體區(qū)域處位于所述第4半導(dǎo)體區(qū)域與所述第1半導(dǎo)體區(qū)域之間的區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體裝置還具有限制電阻，該限制電阻配置于從作為所述電源電壓的供給源的電源至所述溝道區(qū)域的電流路徑上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述限制電阻是位于所述第3半導(dǎo)體區(qū)域與所述溝道區(qū)域之間的所述第4半導(dǎo)體區(qū)域的部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

在所述半導(dǎo)體層的所述主表面形成槽，

所述槽的一部分對所述溝道區(qū)域和所述第1半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行劃分，

在所述槽的所述一部分，在面向所述溝道區(qū)域的內(nèi)壁面之上形成所述柵極絕緣膜，

所述柵極電極形成于所述槽的內(nèi)部，

所述槽從所述半導(dǎo)體層的所述主表面到達(dá)與所述第2半導(dǎo)體區(qū)域的底部相比的下方，

所述槽的另一部分形成于所述背柵極電極與所述源極電極之間的區(qū)域，

所述第2半導(dǎo)體區(qū)域包含：第1區(qū)域，其與所述槽的所述另一部分相比位于所述背柵極電極側(cè)；以及第2區(qū)域，其與所述槽的所述另一部分相比位于所述源極電極側(cè)，包含所述溝道區(qū)域，

所述第1半導(dǎo)體區(qū)域以經(jīng)由位于所述槽的所述一部分的下側(cè)的區(qū)域而與所述溝道區(qū)域相接的方式延伸，

所述半導(dǎo)體裝置具有所述第1導(dǎo)電型的延伸區(qū)域，該延伸區(qū)域在所述半導(dǎo)體層以與所述第1區(qū)域、所述第2區(qū)域接觸的方式形成，

所述延伸區(qū)域經(jīng)由位于所述槽的所述另一部分的下側(cè)的區(qū)域，從所述第1區(qū)域之下延伸至所述第2區(qū)域之下。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述槽在所述半導(dǎo)體層的所述主表面以將所述第3半導(dǎo)體區(qū)域包圍的方式形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第2半導(dǎo)體區(qū)域包含：

第3區(qū)域，其在從所述槽的所述一部分觀察時位于與所述第2區(qū)域側(cè)相反側(cè)；以及

第4區(qū)域，其位于所述槽的外側(cè)，將所述第1區(qū)域與所述第3區(qū)域連接。