[發明專利]量子點-聚合物復合物和包括該復合物的顯示裝置

在審

• 申請號: 202011238165.4
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112778999A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 金澤勛;元那淵;金泰坤;林美惠;田信愛;樸相鉉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;C08L33/02;C08K3/32;C08K3/30;G03F7/004;G03F7/027;G09F9/33;G02F1/13357
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 程月;任旭

1.一種量子點-聚合物復合物，所述量子點-聚合物復合物包括：

聚合物基質；以及

量子點，分散在聚合物基質中，

其中，量子點包括核-殼量子點，核-殼量子點包括半導體納米晶體核和設置在半導體納米晶體核上的半導體納米晶體殼，半導體納米晶體核包括銦、鋅和磷，半導體納米晶體殼包括鋅、硒和硫，

其中，核-殼量子點不包括鎘，并且核-殼量子點被構造為發射綠光，

其中，核-殼量子點具有大于或等于0.75:1的磷與銦的摩爾比，并且

核-殼量子點具有大于或等于35:1的鋅與銦的摩爾比。

2.根據權利要求1所述的量子點-聚合物復合物，其中，核-殼量子點具有小于或等于1:1的硫與硒的摩爾比。

3.根據權利要求1所述的量子點-聚合物復合物，其中，綠光的最大發光峰值波長大于或等于500nm且小于或等于550nm。

4.根據權利要求1所述的量子點-聚合物復合物，其中，量子點-聚合物復合物的量子效率大于或等于80％。

5.根據權利要求1所述的量子點-聚合物復合物，其中，核-殼量子點被構造為具有大于或等于0.4的由下述等式定義的谷深：

1-(Abs_valley/Abs_first)＝VD

其中，VD表示谷深，Abs_first是第一吸收峰處的吸收度，并且Abs_valley是與第一吸收峰相鄰的谷的最低點處的吸收度。

6.根據權利要求1所述的量子點-聚合物復合物，其中，在核-殼量子點中，

硫與硒的摩爾比小于或等于0.9:1；

磷與銦的摩爾比小于或等于1.2:1；或者

鋅與銦的摩爾比小于或等于55:1。

7.根據權利要求1所述的量子點-聚合物復合物，其中，核-殼量子點具有大于或等于10:1且小于或等于45:1的硫和硒的總和與銦的摩爾比。

8.根據權利要求1所述的量子點-聚合物復合物，其中，半導體納米晶體殼包括包括第一殼層和第二殼層，第一殼層包括鋅和硒，并且第二殼層包括鋅和硫并設置在第一殼層上。

9.根據權利要求8所述的量子點-聚合物復合物，其中，第二殼層具有小于0.7nm的厚度。

10.根據權利要求1所述的量子點-聚合物復合物，其中，在核-殼量子點的在77K下測量的光致發光光譜中，深阱發射峰面積與最大發射峰的總面積的比小于或等于4％。

11.根據權利要求1所述的量子點-聚合物復合物，其中，聚合物基質包括交聯聚合物、具有羧基的粘合劑聚合物或它們的組合。

12.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括光源和可選的發光元件，

其中，發光元件包括根據權利要求1至11中的任一項所述的量子點-聚合物復合物，并且

如果存在，則光源被構造為向發光元件提供入射光。

13.根據權利要求12所述的顯示裝置，其中，發光元件包括量子點-聚合物復合物的片；或者

發光元件包括堆疊結構，所述堆疊結構包括基底和設置在基底上的發光層，發光層包括量子點-聚合物復合物的圖案。