[發(fā)明專利]一種具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011235681.1
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112103195B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳先明;黃本霞;馮磊;王聞師;趙江江;高峻
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海越亞半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/24
• 代理公司: 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李翔;鮑勝如

1.一種具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括如下步驟：

（a）準(zhǔn)備臨時(shí)承載板，并在所述臨時(shí)承載板上制備介電層，所述介電層內(nèi)設(shè)置有第一布線層及位于所述第一布線層上表面的導(dǎo)通柱；

（b）在所述介電層外制備第二布線層，所述第二布線層與所述第一布線層通過所述導(dǎo)通柱導(dǎo)通連接；

（c）移除所述臨時(shí)承載板，并在所述介電層的上下表面上分別形成第一阻焊層和第二阻焊層；

（d）在所述第一阻焊層外制作圍壩；

（e）對所述第一阻焊層和所述第二阻焊層分別進(jìn)行金屬表面處理；

（f）經(jīng)檢測將所述圍壩圍成的區(qū)域分別標(biāo)示為良品單元和不良單元，其中在所述良品單元內(nèi)在所述第一阻焊層外貼裝器件，所述器件的端子與所述第二布線層連接，而在所述不良單元內(nèi)不貼裝器件，層壓封裝材料形成包覆所述良品單元和所述不良單元的封裝層；

其中，在所述良品單元內(nèi)所述器件在所述圍壩圍成的空間內(nèi)的占比為1/5~1/2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中步驟（a）包括以下子步驟：

（a1）準(zhǔn)備臨時(shí)承載板；

（a2）在所述臨時(shí)承載板上施加第一光刻膠層，圖案化所述第一光刻膠層形成第一特征圖案；

（a3）電鍍所述第一特征圖案形成第一布線層；

（a4）在所述第一布線層外層壓第二光刻膠層，圖案化所述第二光刻膠層形成第二特征圖案；

（a4）電鍍所述第二特征圖案形成導(dǎo)通柱；

（a5）移除所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層，層壓介電材料形成介電層，并減薄所述介電層暴露出所述導(dǎo)通柱的端部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中步驟（a5）包括通過磨板或等離子蝕刻的方式整體減薄所述介電層暴露出所述導(dǎo)通柱的端部。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中步驟（a5）包括通過激光或機(jī)械鉆孔的方式局部減薄所述介電層暴露出所述導(dǎo)通柱的端部。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中步驟（a5）包括通過曝光顯影的方式局部減薄所述介電層暴露出所述導(dǎo)通柱的端部。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述介電材料包括有機(jī)介電材料、無機(jī)介電材料或它們的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述介電材料包括聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、陶瓷填料、玻璃纖維或它們的組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中步驟（b）包括以下子步驟：

（b1）在所述介電層外制備第一金屬種子層；

（b2）在所述第一金屬種子層外施加第三光刻膠層，圖案化所述第三光刻膠層形成第三特征圖案；

（b3）電鍍所述第三光刻膠層形成第二布線層；

（b4）移除所述第三光刻膠層，蝕刻暴露的第一金屬種子層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中步驟（b1）包括通過化學(xué)鍍或?yàn)R射的方式在所述介電層上制備第一金屬種子層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述第一金屬種子層包括鈦、銅、鈦鎢合金或它們的組合。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有圍壩的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中步驟（d）包括以下子步驟：

（d1）在所述第一阻焊層外層壓感光型介質(zhì)材料；

（d2）曝光顯影所述感光型介質(zhì)材料形成第四特征圖案；

（d3）通過所述第四特征圖案移除暴露的感光型介質(zhì)材料形成圍壩。