[發(fā)明專(zhuān)利]一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011234230.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112340737B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張建敏
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 內(nèi)蒙古東立光伏電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C01B33/03
• 分類(lèi)號(hào): C01B33/03
• 代理公司: 北京麥匯智云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11754
• 代理人: 周雪峰

本發(fā)明公開(kāi)了一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)裝置，涉及太陽(yáng)能生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括還原爐，還原爐的頂部和底部分別設(shè)置有爐蓋和基座，爐蓋的頂部設(shè)置有視鏡和出口，基座的頂部安裝有多組硅棒，硅棒的底部安裝有電加熱器，還原爐的內(nèi)壁設(shè)置有容腔，容腔的一側(cè)連接有進(jìn)氣環(huán)管，進(jìn)氣環(huán)管的底部連接有多組盤(pán)管。本發(fā)明通過(guò)從進(jìn)料口排入的SiHCl₃，SiHCl₃從進(jìn)料管中分配到不同的儲(chǔ)倉(cāng)中，使每個(gè)進(jìn)氣管內(nèi)部的氣流更加均勻地注入，進(jìn)行進(jìn)氣管的預(yù)熱，H₂從進(jìn)氣環(huán)管中進(jìn)入到盤(pán)管中，使不同高度的還原爐內(nèi)部充滿(mǎn)H₂，使SiHCl₃在噴出到還原爐中時(shí)，與噴出的H₂進(jìn)行混合，使SiHCl₃和H₂可以充分反應(yīng)，更好地配合SiHCl₃進(jìn)行還原。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)裝置。

背景技術(shù)

多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。從目前國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料，多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門(mén)子法和硅烷法，改良西門(mén)子法將工業(yè)硅粉與HCl反應(yīng)，加工成SiHCl₃，再讓SiHCl₃在H₂氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅，這種方法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)能降耗顯著、成本低、質(zhì)量好、采用綜合利用技術(shù)，對(duì)環(huán)境不產(chǎn)生污染，具有明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

在多晶硅的生產(chǎn)工藝中，經(jīng)過(guò)多級(jí)精餾的SiHCl₃采用高溫還原工藝，以高純的SiHCl₃在H₂中還原，但是在SiHCl₃發(fā)生反應(yīng)時(shí)，使H₂不能很好的與SiHCl₃進(jìn)行融合，使SiHCl₃的利用率低，生成多晶硅的容量較少，H₂的出口較少，使氛圍不均勻，且在反應(yīng)中，生成的其他氣態(tài)混合物容易與H₂的出口進(jìn)行混合，混合后再進(jìn)入還原爐中，H₂氛圍不夠，并且不能很好的調(diào)節(jié)進(jìn)入到還原爐中SiHCl₃的容量，反應(yīng)效果不好。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于：為了解決在SiHCl₃發(fā)生反應(yīng)時(shí)，使H₂不能很好的與SiHCl₃進(jìn)行融合，使SiHCl₃的利用率低，生成多晶硅的容量較少，H₂的出口較少，使氛圍不均勻的問(wèn)題，提供一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)裝置。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)裝置，包括還原爐，所述還原爐的頂部和底部分別設(shè)置有爐蓋和基座，且爐蓋的頂部設(shè)置有視鏡和出口，所述基座的頂部安裝有多組硅棒，所述硅棒的底部安裝有電加熱器，所述還原爐的內(nèi)壁設(shè)置有容腔，且容腔的一側(cè)連接有進(jìn)氣環(huán)管，所述進(jìn)氣環(huán)管的底部連接有多組盤(pán)管，且盤(pán)管的一端皆連接有第一出氣管，所述第一出氣管的內(nèi)部設(shè)置有出氣通槽，且出氣通槽的一側(cè)連接有通道，所述出氣通槽的頂部和底部皆設(shè)置有凹槽，且凹槽的內(nèi)壁固定有彈簧，所述通道的內(nèi)部設(shè)置有單向堵頭，且單向堵頭與彈簧的首端固定連接，所述爐蓋的頂部連接有進(jìn)料管，所述進(jìn)料管的內(nèi)部設(shè)置有儲(chǔ)倉(cāng)和空腔，所述儲(chǔ)倉(cāng)的內(nèi)部皆轉(zhuǎn)動(dòng)連接有延伸至空腔內(nèi)部的調(diào)節(jié)軸，且調(diào)節(jié)軸的外側(cè)固定有多組隔板，所述空腔的內(nèi)部轉(zhuǎn)動(dòng)連接有連接軸，且連接軸的外側(cè)固定有配合齒輪，所述調(diào)節(jié)軸的外側(cè)固定有大齒輪，所述儲(chǔ)倉(cāng)的下方連接有多組進(jìn)氣管，且進(jìn)氣管的外側(cè)設(shè)置有多組第二出氣管。

優(yōu)選地，所述大齒輪的外側(cè)設(shè)置有鏈條，多組所述大齒輪通過(guò)鏈條轉(zhuǎn)動(dòng)連接，其中一組所述調(diào)節(jié)軸的末端固定有與配合齒輪相互嚙合的小齒輪。