[發(fā)明專利]一種鈦合金表面氮化層的激光修復(fù)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011221971.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112404455A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚建華;張?zhí)炝?/a>;吳國(guó)龍;陳智君;董剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B22F10/28 | 分類號(hào): | B22F10/28;B22F3/10;B33Y10/00;C22C14/00 |
| 代理公司: | 杭州天正專利事務(wù)所有限公司 33201 | 代理人: | 黃美娟;朱思蘭 |
| 地址: | 310014 浙江省杭州*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鈦合金 表面 氮化 激光 修復(fù) 方法 | ||
1.一種鈦合金表面氮化層的激光修復(fù)方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
(1)前處理:銑削去除鈦合金工件表面氮化層的缺陷區(qū)域,然后清洗,晾干,即為待加工區(qū)域;
(2)激光加工:在待加工區(qū)域鋪設(shè)預(yù)置鈦合金粉末,對(duì)粉末層進(jìn)行選區(qū)激光熔化,同時(shí)提供氮?dú)庠矗狗勰釉诔尚蔚倪^(guò)程中同時(shí)生成氮化層;
所述選區(qū)激光熔化的工藝中,激光器焦距為510~530mm,激光功率300~500W,線間距0.16~0.28mm,掃描速度100~300mm/s;所述激光器為振鏡連續(xù)光纖激光器;
激光加工過(guò)程中在平行工件表面方向同步送氮?dú)庠矗龅獨(dú)庠礊榈獨(dú)狻鍤獾幕旌瞎ぷ鳉怏w;
(3)后處理:對(duì)修復(fù)區(qū)域進(jìn)行磨削處理,除去高于原有氮化層的區(qū)域,使加工部分恢復(fù)原有尺寸精度。
2.如權(quán)利要求1所述鈦合金表面氮化層的激光修復(fù)方法,其特征在于,步驟(1)中,相對(duì)于工件原有表面,控制每次銑削深度為0.2~0.4mm,銑削完成后進(jìn)行探傷,保證待加工區(qū)域已無(wú)裂紋;如探傷后仍有缺陷,則繼續(xù)銑削,直至去除表面缺陷,獲得平整的待加工區(qū)域,然后用乙醇對(duì)待加工區(qū)域進(jìn)行清洗并晾干。
3.如權(quán)利要求1所述鈦合金表面氮化層的激光修復(fù)方法,其特征在于,步驟(1)中所述鈦合金為Ti-6Al-4V,步驟(2)中所述鈦合金粉末為Ti-6Al-4V,所述Ti-6Al-4V成分為Al:5.5~6.8%;V:3.5~4.5%;Fe≤0.3%;C≤0.1%;H≤0.015%;N≤0.05%;O≤0.2%;余量為Ti。
4.如權(quán)利要求1所述鈦合金表面氮化層的激光修復(fù)方法,其特征在于,步驟(2)中,單次鋪設(shè)的粉末層厚度在0.1~0.2mm。
5.如權(quán)利要求1所述鈦合金表面氮化層的激光修復(fù)方法,其特征在于,步驟(2)重復(fù)激光加工步驟直至修復(fù)區(qū)域高于原有表面0~0.2mm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江工業(yè)大學(xué),未經(jīng)浙江工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011221971.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長(zhǎng)方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





