[發明專利]一種聚醚醚酮復合材料及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 202011221888.3 | 申請日： | 2020-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN112972768A | 公開（公告）日： | 2021-06-18 |
| 發明（設計）人： | 蔣欣泉;王笑;文晉;胡龍威 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學醫學院附屬第九人民醫院 |
| 主分類號： | A61L27/30 | 分類號： | A61L27/30;A61L27/18;A61L27/54;C23C14/12;C23C14/30 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 200011 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 聚醚醚酮 復合材料 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種聚醚醚酮復合材料，其特征在于，所述聚醚醚酮復合材料包括聚醚醚酮基材，設置于所述聚醚醚酮基材表面的至少一層含Si離子改性層，以及，設置于所述含Si離子改性層上的至少一層含Sr離子改性層。
2.如權利要求1所述的聚醚醚酮復合材料，其特征在于，所述含Si離子改性層的材料為硅酸鈣。
3.如權利要求1所述的聚醚醚酮復合材料，其特征在于，所述含Sr離子改性層的材料為碳酸鍶。
4.如權利要求1所述的聚醚醚酮復合材料，其特征在于，所述聚醚醚酮復合材料包括聚醚醚酮基材，設置于所述聚醚醚酮基材表面的一層含Si離子改性層，以及，設置于所述含Si離子改性層上的至少一層含Sr離子改性層。
5.如權利要求1所述的聚醚醚酮復合材料在種植體中的應用。
6.如權利要求1所述的聚醚醚酮復合材料的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
第一真空蒸鍍步驟，以在聚醚醚酮基材表面形成至少一層含Si離子改性層，以及，
第二真空蒸鍍步驟，以在所述含Si離子改性層表面形成至少一層含Sr離子改性層。
7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一真空蒸鍍步驟中使用的蒸發鍍膜材料含有硅酸鈣。
8.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第二真空蒸鍍步驟中使用的蒸發鍍膜材料含有碳酸鍶。
9.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一真空蒸鍍步驟的加熱方式與所述第二真空蒸鍍步驟的加熱方式均為電子束加熱。
10.如權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述電子束加熱的工作電壓為8.5kV，工作電流為1.6A。
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