[發(fā)明專利]磁性隧道結(jié)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011219593.2 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114447215A | 公開（公告）日： | 2022-05-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫一慧 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江馳拓科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L43/08 | 分類號(hào)： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京蘭亭信通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11667 | 代理人： | 孫峰芳 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁性 隧道 | ||
1.一種磁性隧道結(jié)，其特征在于，包括：層疊設(shè)置的自由層、勢(shì)壘層和參考層，其中所述自由層包括：
第一磁性層，與所述勢(shì)壘層相鄰設(shè)置，所述第一磁性層具有可翻轉(zhuǎn)的第一磁矩；
第一耦合層，置于所述第一磁性層遠(yuǎn)離所述勢(shì)壘層的一側(cè)；
第二磁性層，置于所述第一耦合層遠(yuǎn)離所述第一磁性層的一側(cè)，所述第二磁性層具有可翻轉(zhuǎn)的第二磁矩；
第二耦合層，置于所述第二磁性層遠(yuǎn)離所述第一耦合層的一側(cè)；以及
第三磁性層，置于所述第二耦合層遠(yuǎn)離所述第二磁性層的一側(cè)，所述第三磁性層具有可翻轉(zhuǎn)的第三磁矩。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述第一耦合層為反鐵磁耦合層，以使所述第一磁矩與所述第二磁矩相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述第一耦合層包括銥(Ir)和釕(Ru)的一種或其組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述第二耦合層為反鐵磁耦合層，以使所述第二磁矩與所述第三磁矩相反。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述第二耦合層包括銥(Ir)和釕(Ru)的一種或其組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述第一磁性層為單層磁性合金層或者多層磁性合金層的疊層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述第二磁性層為單層磁性合金層或者多層磁性合金層的疊層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述第三磁性層為單層磁性合金層或者多層磁性合金層的疊層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述勢(shì)壘層包括氧化鎂(MgO)。
10.一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的磁性隧道結(jié)。
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