[發(fā)明專利]堆疊式存儲器及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011218164.3
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN114446334A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 康卜文;楊紅;楊濤;王文武;李俊峰;殷華湘
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達

本申請公開了一種堆疊式存儲器及其制造方法，包括：多個存儲裸片，每一存儲裸片具有獨立的熔斷信息，熔斷信息是將存儲裸片中設(shè)置的預設(shè)數(shù)量的熔絲，按照熔絲的熔斷排列組合方式熔斷獲得，每一存儲裸片中預設(shè)數(shù)量熔絲的熔斷排列組合方式是根據(jù)堆疊式存儲器制造過程依序確定的；每一存儲裸片可由包含熔斷信息的信號單獨選擇和控制。本申請在去除邏輯裸片的基礎(chǔ)上，在堆疊式存儲器制造過程中，依序為每一存儲裸片確定一種熔斷排列組合方式，以獲得一個獨立的熔斷信息，從而每一存儲裸片可由包含熔斷信息的信號單獨選擇和控制，從而每一存儲裸片上也就不需要硅通孔來區(qū)分存儲分區(qū)，進而可以達到減少硅通孔、節(jié)省成本的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種堆疊式存儲器及其制造方法。

背景技術(shù)

目前，在堆疊式存儲器的制造方案中，是分別制作包括存儲陣列的存儲裸片(Memory Die)和包括外圍電路的邏輯裸片(Control Die)，并通過將多個存儲裸片和邏輯裸片以堆疊式封裝，堆疊后的各個裸片通過硅通孔(TSV，Thru Silicon Via)電連接到彼此。

由于硅通孔在裸片上需要占用一定的位置，而為了提升存儲器的芯片密度，就需要減少硅通孔的數(shù)量，但是目前的堆疊好的裸片是通過硅通孔來區(qū)分存儲分區(qū)的，每組堆疊的存儲分區(qū)被稱為存儲庫，存儲庫可被獨立地訪問以用于讀和寫操作，因此這些硅通孔又是必不可少。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的目的是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足提出的一種堆疊式存儲器及其制造方法，該目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的。

本申請的第一方面提出了一種堆疊式存儲器，包括：

多個存儲裸片；

所述多個存儲裸片中的每一存儲裸片具有獨立的熔斷信息，所述熔斷信息是將存儲裸片中設(shè)置的預設(shè)數(shù)量的熔絲，按照熔絲的熔斷排列組合方式熔斷獲得，且每一存儲裸片中熔絲的熔斷排列組合方式是根據(jù)所述堆疊式存儲器制造過程依序確定的；

其中，每一所述存儲裸片由包含熔斷信息的信號單獨選擇和控制。

本申請的第二方面提出了一種堆疊式存儲器的制造方法，方法包括：

提供多個存儲裸片；

通過硅通孔將所述多個存儲裸片中的每一存儲裸片沿垂直方向延伸依序堆疊在一起；

針對每一存儲裸片，按照堆疊次序為該存儲裸片確定熔絲的熔斷排列組合方式，并按照所述熔斷排列組合方式熔斷該存儲裸片中的熔絲，以獲得該存儲裸片的熔斷信息。

本申請的第三方面提出了一種電子設(shè)備，包括如上述第一方面所述的堆疊式存儲器。

基于上述所述的堆疊式存儲器及其制造方法，現(xiàn)有技術(shù)中的每組堆疊的分區(qū)是由邏輯裸片信號來選擇和控制，也就是說，現(xiàn)有技術(shù)是沿垂直方向來區(qū)分選擇和控制，而本申請在去除邏輯裸片的基礎(chǔ)上，在堆疊式存儲器制造過程中，依序為每一存儲裸片確定一定數(shù)量熔絲的熔斷排列組合方式，從而按照確定的熔斷排列組合方式熔斷存儲裸片中的熔絲，以獲得一個獨立的熔斷信息，從而每一存儲裸片可由包含熔斷信息的信號單獨選擇和控制，也就是說，本申請是沿水平方向來區(qū)分選擇和控制，從而每一存儲裸片上也就不需要硅通孔來區(qū)分存儲分區(qū)，進而可以達到減少硅通孔、節(jié)省成本的效果，便于提升存儲器的存儲密度。另外，由于將邏輯裸片去除，因此還可以減少芯片厚度。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當限定。在附圖中：

圖1為本申請示出的一種相關(guān)技術(shù)中的堆疊式存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本申請根據(jù)一示例性實施例示出的一種堆疊式存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖；