[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 202011214260.0
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112838054A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 原田成規;松澤稔;木內逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宮井俊輝;大前卷子
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/67;B23K26/38;B23K26/70;B23K101/40
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

1.一種晶片的加工方法，將在由分割預定線劃分的正面的各區域內形成有多個器件的晶片分割成各個器件芯片，其特征在于，

該晶片的加工方法具有如下的工序：

聚酯系片配設工序，將晶片定位于具有對晶片進行收納的開口的框架的該開口內，將聚酯系片配設在該晶片的背面或該正面上以及該框架的外周上；

一體化工序，對該聚酯系片進行加熱，通過熱壓接使該晶片與該框架借助該聚酯系片而一體化；

分割工序，將對于該晶片具有透過性的波長的激光束的聚光點定位于該晶片的內部，沿著該分割預定線對該晶片照射該激光束，在該晶片中連續地形成盾構隧道，將該晶片分割成各個器件芯片；以及

拾取工序，在該聚酯系片的與各器件芯片對應的各個區域中，對該聚酯系片賦予超聲波，從該聚酯系片側將該器件芯片頂起，從該聚酯系片拾取該器件芯片。

2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在該一體化工序中，通過紅外線的照射來實施該熱壓接。

3.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在該一體化工序中，在實施了一體化之后，將從該框架的外周探出的聚酯系片去除。

4.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在該拾取工序中，對該聚酯系片進行擴展而使各器件芯片之間的間隔擴展。

5.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

該聚酯系片是聚對苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意片。

6.根據權利要求5所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在該一體化工序中，在該聚酯系片為該聚對苯二甲酸乙二醇酯片的情況下，加熱溫度為250℃～270℃，在該聚酯系片為該聚萘二甲酸乙二醇酯片的情況下，加熱溫度為160℃～180℃。

7.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

該晶片由Si、GaN、GaAs、玻璃中的任意材料構成。