[發明專利]集成電路裝置

在審

• 申請號: 202011210730.6
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112820730A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 宋在烈;吳承河;金洛煥;樸珉正;李東洙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092;H01L29/423;H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種集成電路裝置，包括：

第一鰭型有源區域和第二鰭型有源區域，位于襯底上；

多個第一半導體圖案，所述多個第一半導體圖案堆疊在所述第一鰭型有源區域上作為第一鰭式場效應晶體管的多個間隔開的第一溝道區域；

多個第二半導體圖案，所述多個第二半導體圖案堆疊在所述第二鰭型有源區域上作為第二鰭式場效應晶體管的多個間隔開的第二溝道區域；

第一柵極結構，所述第一柵極結構位于所述多個第一半導體圖案上，所述第一柵極結構包括第一材料區域，所述第一材料區域至少部分地填充所述多個間隔開的第一溝道區域之間的空間；以及

第二柵極結構，所述第二柵極結構位于所述多個第二半導體圖案上，所述第二柵極結構包括第二材料區域和第三材料區域，所述第二材料區域和所述第三材料區域至少部分地填充所述多個間隔開的第二溝道區域之間的空間。

2.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述第二材料區域中的氧含量百分比超過所述第一材料區域中的氧含量百分比。

3.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述第一材料區域在所述多個第一半導體圖案的側壁上以及所述多個第一半導體圖案中的最上面的第一半導體圖案的頂表面上延伸；其中，所述第一柵極結構還包括第四材料區域和第五材料區域，所述第四材料區域和第五材料區域在所述第一材料區域的側壁上和頂表面上延伸。

4.根據權利要求3所述的集成電路裝置，其中，所述第四材料區域中的氧含量百分比超過所述第一材料區域中的氧含量百分比。

5.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述第一材料區域包括包含第一金屬的金屬氮化物、包含所述第一金屬的金屬碳化物以及包含所述第一金屬的金屬碳氮化物中的至少一種；其中，所述第二材料區域包括包含第二金屬的金屬氧化物、包含所述第二金屬的金屬氮氧化物、包含所述第二金屬的金屬碳氧化物以及包含所述第二金屬的金屬碳氮氧化物中的至少一種。

6.根據權利要求5所述的集成電路裝置，其中，所述第一金屬選自于包括鈦、鈮、鉭、鉬和鎢的組；其中，所述第二金屬選自于包括鈦、鈮、鉭、鉬和鎢的組。

7.根據權利要求5所述的集成電路裝置，其中，所述第二材料區域包括M_xO_yN_z，其中，M是金屬，O是氧，N是氮，x0.0，z0.0，0.2≤y≤0.7，0.3≤x+z≤0.8。

8.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述第一材料區域與所述多個第一半導體圖案電絕緣；其中，所述第二材料區域與所述多個第二半導體圖案電絕緣。

9.一種集成電路裝置，包括：

第一鰭型有源區域和第二鰭型有源區域，位于襯底上；

多個第一半導體圖案，所述多個第一半導體圖案堆疊在所述第一鰭型有源區域上作為第一鰭式場效應晶體管的多個間隔開的第一溝道區域；

多個第二半導體圖案，所述多個第二半導體圖案堆疊在所述第二鰭型有源區域上作為第二鰭式場效應晶體管的多個間隔開的第二溝道區域；

第一柵極結構，所述第一柵極結構位于所述多個第一半導體圖案上，所述第一柵極結構包括第一材料區域，所述第一材料區域圍繞并且至少部分地填充所述多個間隔開的第一溝道區域之間的空間；以及

第二柵極結構，所述第二柵極結構位于所述多個第二半導體圖案上，所述第二柵極結構包括第二材料區域，所述第二材料區域圍繞并且至少部分地填充所述多個間隔開的第二溝道區域之間的空間。

10.根據權利要求9所述的集成電路裝置，其中，所述第二材料區域中的氧含量百分比超過所述第一材料區域中的氧含量百分比，其中，所述第二材料區域包括M_xO_yN_z，其中，M是金屬，O是氧，N是氮，x0.0，z0.0，0.2≤y≤0.7，0.3≤x+z≤0.8。