[發明專利]一種用于氮化鎵功放芯片的玻璃微流道散熱器制備方法

有效

• 申請號: 202011208598.5
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112340694B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 王文博;向偉瑋;盧茜;張劍;秦躍利;王春富;李彥睿;李陽陽;蔣苗苗;張健
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十九研究所
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81C3/00;H01L23/473
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 李想

1.一種用于氮化鎵功放芯片的玻璃微流道散熱器制備方法，該方法包括：

S1：準備至少3片可光刻玻璃圓片，分別為：A玻璃圓片、B玻璃圓片和C玻璃圓片；

S2：利用光刻腐蝕工藝在A玻璃圓片上刻蝕若干個TGV通孔，在B玻璃圓片上刻蝕微流道結構和B進出液口且兩者之間通過分流網絡連通，微流道結構包括多個呈平行設置的微流道，各個微流道通過分流網絡連通至B進出液口，微流道為高深寬比，在C玻璃圓片上刻蝕C進出液口應當分別與各個B進出液口對齊連通；

S3：對A玻璃圓片作實心電鍍工藝，以得到TGV實心互連結構；

實心電鍍工藝包括：

S31：在A玻璃圓片上濺射擴散阻擋層和種子層；擴散阻擋層選用TiN、Ta、TaN，種子層為金屬導電層；

S32：通過種子層導電以對A玻璃圓片的各個TGV通孔進行實心電鍍銅；實心電鍍銅填滿各個TGV通孔；

S33：對A玻璃圓片作表面化學機械拋光，以獲取TGV實心互連結構；

S4：分別在A玻璃圓片的下表面、B玻璃圓片的兩側表面和C玻璃圓片的上表面設置連接膜層；

S5：將A玻璃圓片、B玻璃圓片和C玻璃圓片依次鍵合形成復合圓片；

步驟S5具體包括：

S51：將A玻璃圓片的下表面與B玻璃圓片的上表面鍵合；

S52：將B玻璃圓片的B進出液口與C玻璃圓片的C進出液口相對齊并將B玻璃圓片的下表面與C玻璃圓片的上表面鍵合；

S6：復合圓片通過分片工藝獲得單個微流道散熱器。

2.根據權利要求1所述的用于氮化鎵功放芯片的玻璃微流道散熱器制備方法，其特征在于，在步驟S2之前，分別對A玻璃圓片和C玻璃圓片進行減薄拋光。

3.根據權利要求1所述的用于氮化鎵功放芯片的玻璃微流道散熱器制備方法，其特征在于，在步驟S4之前，分別對A玻璃圓片、B玻璃圓片和C玻璃圓片進行化學機械拋光。

4.根據權利要求1所述的用于氮化鎵功放芯片的玻璃微流道散熱器制備方法，其特征在于，在步驟S4中，所述連接膜層通過沉積生長或涂覆而成。

5.根據權利要求1所述的用于氮化鎵功放芯片的玻璃微流道散熱器制備方法，其特征在于，在步驟S5中，通過熱壓鍵合工藝對A玻璃圓片、B玻璃圓片和C玻璃圓片進行依次鍵合。

6.根據權利要求1所述的用于氮化鎵功放芯片的玻璃微流道散熱器制備方法，其特征在于，在步驟S6中，所述分片工藝為砂輪分片工藝或激光分片工藝。