[發明專利]一種寫入電壓可調的非易失性阻變存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 202011206255.5
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112382722B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 劉舉慶;聶毅杰;李銀祥
• 申請（專利權）人: 南京工業大學
• 主分類號: H10N70/20
• 分類號: H10N70/20
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 朱少華

1.一種寫入電壓可調的非易失性阻變存儲器，其特征在于，存儲器件包括襯底、底電極、阻變功能層和頂電極；所述阻變功能層為表面含納米孔洞且孔洞尺寸可調的有機聚合物薄膜；通過對阻變功能層薄膜表面納米孔洞尺寸的調控，實現對存儲器寫入電壓的精確調控；將聚合物的混合溶液旋涂于底電極上，然后置于環己烷溶劑中刻蝕，可得到表面含納米孔洞的阻變功能層薄膜；通過控制旋涂儀的轉數來實現對阻變功能層薄膜表面納米孔洞尺寸的調控；所述聚合物的混合溶液為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶液與聚苯乙烯(PS)溶液的混合溶液。

2.根據權利要求1所述的一種寫入電壓可調的非易失性阻變存儲器的制備方法，包括如下步驟：

a)Glass襯底/ITO?底電極的清潔處理；

b)阻變功能層制備：采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶液與聚苯乙烯(PS)溶液，以旋涂法制備表面含納米孔洞的有機聚合物薄膜；

c)頂電極制備：真空蒸鍍金屬鋁作為頂電極。

3.根據權利要求2所述的一種寫入電壓可調的非易失性阻變存儲器的制備方法，其特征在于：所述的步驟a)中Glass襯底/ITO?底電極的清潔處理是將其依次在去離子水、乙醇、丙酮、去離子水中，分別超聲15-20min，用高純氮氣吹干；最后將襯底放入氧氣等離子體清洗機中處理3-5min。

4.根據權利要求2所述的一種寫入電壓可調的非易失性阻變存儲器的制備方法，其特征在于：所述的步驟b)阻變功能層的制備是將聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯分別溶解于四氫呋喃溶劑中，通過攪拌形成濃度相同的PMMA溶液與PS溶液；將PMMA溶液與PS溶液混合攪拌得到混合溶液；將混合溶液旋涂于底電極上固化，然后置于環己烷溶劑中刻蝕，烘干即可得到阻變功能層薄膜。

5.根據權利要求4所述的一種寫入電壓可調的非易失性阻變存儲器的制備方法，其特征在于：所述的PMMA溶液與PS溶液的濃度均為3-10mg/mL。

6.根據權利要求4所述的一種寫入電壓可調的非易失性阻變存儲器的制備方法，其特征在于：所述的PMMA溶液與PS溶液的體積比為3∶7。

7.根據權利要求4所述的一種寫入電壓可調的非易失性阻變存儲器的制備方法，其特征在于：所述的混合溶液旋涂的轉數為1000-3000rpm。