[發明專利]一體式生長的馬賽克式圖像傳感器結構和制備方法

在審

• 申請號: 202011206090.1
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112331682A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 張晨;劉舒揚;王天鶴;趙安娜;張云昊;潘建選
• 申請（專利權）人: 天津津航技術物理研究所
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國兵器工業集團公司專利中心 11011
• 代理人: 王雪芬

1.一體式生長的馬賽克式圖像傳感器結構，其特征在于，該結構為2*2馬賽克式的圖像傳感器結構，其中四個像素中的三個RGB像素結構上增加了干涉截止膜以濾除紅外補光燈的影響，另外一個像素上為全透區域，可接收紅外補光燈的光線，作為對比濾波的基準。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述干涉截止膜的膜系透過要求為在380～700nm范圍內平均透過率95％，在800～900nm范圍內平均透過率1％。

3.如權利要求2所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述干涉截止膜需要濾除的波長為中心波長在850nm的紅外補光燈的光線。

4.如權利要求3所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述干涉截止膜的材料為Si₃N₄和SiO₂，光譜范圍為380nm-900nm。

5.如權利要求4所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述干涉截止膜這種膜系結構的參數如表1：

表1膜系結構參數表

6.一種如權利要求1至5中任一項圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在圖像傳感器晶圓生長完后，在上面鍍一層干涉截止膜，該干涉截止膜采用高低折射率交叉堆疊的方式生長；然后旋涂一層光刻膠，再曝光出一個像素的全透區域，并刻蝕掉曝光區域的干涉截止膜，然后去除光刻膠，在具備干涉截止膜的像素結構上再添加一層RGB的顏色濾波器，完成圖像傳感器結構的制備。

7.一種如權利要求1至5中任一項圖像傳感器結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：在圖像傳感器晶圓生長完后，先旋涂一層較厚的光刻膠，然后將需要生長干涉截止膜的三個像素區域進行曝光顯影去除，然后在這三個像素區域生長一層干涉截止膜，該干涉截止膜采用高低折射率材料交叉堆疊的方式生長；隨后剝離全透區域的光刻膠，并將上層的干涉截止膜一并去除。最后在具備干涉截止膜的那個像素結構上再添加一層RGB的顏色濾波器，完成圖像傳感器結構的制備。

8.一種如權利要求1至5中任一項圖像傳感器結構在安防監控領域中的應用。

9.一種如權利要求1至5中任一項圖像傳感器結構在半導體技術領域中的應用。

10.一種如權利要求6或7所述的方法在半導體技術領域中的應用。